[发明专利]一种TFT阵列基板的制备方法及TFT阵列基板、显示面板

权利要求书

1.一种TFT阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：

提供一硬质基板，在所述硬质基板上沉积第一金属层，图案化处理形成栅极和栅极扫描线；

在所述栅极和栅极扫描线上依次沉积栅极绝缘层、有源层和第二金属层；

在所述第二金属层上涂布光阻材料，图案化处理形成第一光阻层和第二光阻层，所述第一光阻层包括第一阶光阻层、第二阶光阻层和第三阶光阻层，所述第二阶光阻层的厚度大于所述第一阶光阻层，所述第三阶光阻层的厚度大于所述第二阶光阻层，所述第一阶光阻层设于所述第一光阻层的中部并形成一沟道，所述第二光阻层的厚度大于所述第二阶光阻层；

对所述沟道外侧的未被所述第一光阻层和所述第二光阻层覆盖的所述第二金属层、所述有源层和所述栅极绝缘层进行刻蚀以使所述硬质基板暴露；其中，采用湿刻蚀工艺对未被所述光阻材料覆盖的所述第二金属层进行刻蚀；然后采用干法刻蚀对暴露的所述有源层和所述栅极绝缘层进行刻蚀；

对所述第一光阻层和所述第二光阻层进行灰化处理，去除所述第一阶光阻层，并经刻蚀形成源极和漏极；

对所述第二阶光阻层、所述第三阶光阻层和所述第二光阻层进行灰化处理，去除所述第二阶光阻层，然后整体沉积钝化保护层；

剥离所述第三阶光阻层和所述第二光阻层，并沉积透明导电层，图案化处理后形成像素电极和公共电极。

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述有源层包括依次在所述栅极绝缘层上的第一非晶硅膜和第二非晶硅膜，所述第一非晶硅膜置于所述栅极绝缘层与所述第二非晶硅膜之间。

3.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述第一非晶硅膜的材质包括无定形硅；所述第二非晶硅膜的材质包括杂质离子掺杂的无定形硅。

4.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述经刻蚀形成源极和漏极的过程包括刻蚀所述第一阶光阻层覆盖的所述第二金属层和刻蚀所述第二非晶硅膜。

5.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述对所述沟道外侧的未被所述第一光阻层和所述第二光阻层覆盖的所述第二金属层进行刻蚀后，所述第二光阻层覆盖的所述第二金属层形成数据线层。

6.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述栅极扫描线和所述数据线层间通过所述公共电极桥接。

7.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述透明导电层的材质包括铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝锌氧化物和铟镓锌氧化物中的一种或多种。

8.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述钝化保护层的材质包括氮化硅和氧化硅中的一种或多种。

9.一种如权利要求1-8任意一项所述制备方法制备的TFT阵列基板。

10.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括如权利要求1-8任意一项所述制备方法制备的TFT阵列基板。