[发明专利]用于沉积腔室的基板支撑夹盘冷却

说明书

本文提供一种用于基板处理系统中的基板支撑夹盘。在一些实施方式中，用于基板处理腔室中的基板支撑件可包括：静电夹盘，所述静电夹盘具有顶部基板支撑表面与底部表面；以及冷却环组件，所述冷却环组件具有中心开孔，所述冷却环组件设置于所述静电夹盘的底部表面的附近，所述冷却环组件包括：冷却部，所述冷却部具有热耦接至所述静电夹盘的底部表面的顶部表面，所述冷却部具有形成于所述冷却部的底部表面中的冷却通道；以及帽部，所述帽部耦接至所述冷却部的底部表面并且流体地密封形成于所述冷却部中的所述冷却通道。

本申请是申请日为2014年3月4日、申请号为201480003693.8、名称为“用于沉积腔室的基板支撑夹盘冷却”的发明专利申请的分案申请。

领域

本发明的实施方式大体涉及半导体处理。

背景

发明人已经观察到，用于某些应用的传统的高温基板支撑夹盘(substratesupport chuck)无法控制长时重沉积速率处理(lengthy heavy deposition rateprocess)所产生的热输入(heat input)，所述处理诸如是LED背侧的金(Au)或金-锡(gold-tin；AuSn)、厚铝的沉积，或者一些微机电系统(MEMS,microelectromechanical system)处理。例如，一般150mm半导体物理气相沉积(PVD)处理在升高的温度下少于1分钟长，而LED背侧沉积处理例如大约6分钟长并且必须维持在较低温度下。但是，至晶片与夹盘的增加的热输入会超过一些传统的夹盘所能应付的热输入。

因此，发明人已提供改良的基板支撑夹盘的实施方式。

概述

本文提供用于基板处理系统中的一种基板支撑夹盘的实施方式。在一些实施方式中，一种用于基板处理腔室中的基板支撑件可包括：静电夹盘(electrostatic chuck)，所述静电夹盘具有顶部基板支撑表面与底部表面；以及冷却环组件，所述冷却环组件具有中心开孔，所述冷却环组件设置于所述静电夹盘的所述底部表面的附近，所述冷却环组件包括：冷却部，所述冷却部具有热耦接至所述静电夹盘的底部表面的顶部表面，所述冷却部具有形成于所述冷却部的底部表面中的冷却通道；以及帽部，所述帽部耦接至所述冷却部的底部表面并且流体地密封形成于所述冷却部中的所述冷却通道。

在一些实施方式中，用于冷却基板支撑件的一种冷却环组件可包括：冷却部，所述冷却部具有顶部表面、底部表面、与第一中心开孔，所述底部表面具有形成于所述底部表面中的冷却通道；以及帽部，所述帽部具有第二中心开孔，其中所述帽部耦接至所述冷却部的所述底部表面并且流体地密封形成于所述冷却部中的所述冷却通道，且其中所述第一中心开孔与第二中心开孔是实质上对准的。

在一些实施方式中，用于处理基板的一种处理腔室可包括：腔室主体，所述腔室主体具有内部空间；基板支撑件，所述基板支撑件设置于所述内部空间中，所述基板支撑件包括：静电夹盘，所述静电夹盘具有顶部基板支撑表面与底部表面；环状支撑环，所述环状支撑环具有中心开孔，所述环状支撑环耦接至所述静电夹盘的所述底部表面；环状固定环，所述环状固定环具有中心开孔，所述环状固定环设置于所述环状支撑环的所述中心开孔内；以及冷却环组件，所述冷却环组件设置于所述环状固定环的所述中心开孔内并且在所述静电夹盘的所述底部表面的附近，所述冷却环组件包括：冷却部，所述冷却部具有热耦接至所述静电夹盘的所述底部表面的顶部表面，所述冷却部具有形成于所述冷却部的底部表面中的冷却通道；以及帽部，所述帽部耦接至所述冷却部的所述底部表面并且流体地密封形成于所述冷却部中的所述冷却通道。

本发明的其他的实施方式与进一步的实施方式叙述于下。

附图简要说明