[发明专利]光学邻近效应修正模型及其建立方法和掩膜板的形成方法

说明书

一种光学邻近效应修正模型及其建立方法和掩膜板的形成方法，建立方法包括：提供若干参考图形；对所述参考图形进行阈值获取处理，所述阈值获取处理的方法包括：以参考图形为掩膜进行第一模拟曝光处理，获取参考光强分布；根据所述参考图形获取测试掩膜板；以所述测试掩膜板为掩膜进行测试曝光处理，获取测试图形，所述测试图形具有测试尺寸；通过测试图形和参考光强分布获取阈值信息，所述阈值信息用于在所述参考光强分布中获取第一矫正图形，所述第一矫正图形具有第一矫正尺寸，所述第一矫正尺寸与所述测试尺寸相等；获取与所述参考图形对应的参考信息；建立参考信息和阈值信息的对应关系模型。所述方法建立的光学邻近效应修正模型的精度较高。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种光学邻近效应修正模型及其建立方法和掩膜板的形成方法。

背景技术

光刻技术是半导体制作技术中至关重要的一项技术，能够实现将图形从掩模板中转移到硅片表面，形成符合设计要求的半导体产品。

随着设计尺寸的不断缩小，设计尺寸已经接近或者小于光刻过程中使用的光波波长，光的衍射效应和干涉效应变得越来越明显，导致实际形成的光刻图案相对于掩膜板上的图案发生严重畸变，最终在硅片上经过光刻形成的实际图形变得和设计图形不同，这种现象被称为光学邻近效应(OPE：Optical Proximity Effect)。

为了减小光学邻近效应引起的光刻图形的畸变，常用方法是光学邻近效应修正方法(optical proximity correction，OPC)。

光学邻近效应修正方法通常分为两大类：基于规则的方法和基于模型的方法。基于规则的方法需要事先建立矫正规则数据库，实际处理中只需通过查找数据库便可以得到矫正数据，实现对掩膜板图形的矫正，因此这种方法在处理大规模集成电路版图时速度快，功能强；基于模型的方法需要事先选择适当的光学模型，实际处理中利用光学模型模拟光刻成像的过程，实现对掩膜板图形的矫正，因此这种方法需要消耗较多的时间和空间，但是矫正结果的精确度较高。

然而，现有技术形成的数学模型进行的光学邻近效应矫正的精度较低且耗时较大。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种光学邻近效应修正模型及其建立方法和掩膜板的形成方法，能够提高光学邻近效应修正的精度、并降低时间成本。

为解决上述问题，本发明提供一种光学邻近效应修正模型的建立方法，包括：提供若干参考图形；对所述参考图形进行阈值获取处理，获取阈值信息和参考信息，所述阈值获取处理的方法包括：以参考图形为掩膜进行第一模拟曝光处理，获取参考光强分布；根据所述参考图形获取测试掩膜板；以所述测试掩膜板为掩膜进行测试曝光处理，获取测试图形，所述测试图形具有测试尺寸；通过测试图形和参考光强分布获取阈值信息，所述阈值信息用于在所述参考光强分布中获取第一矫正图形，所述第一矫正图形具有第一矫正尺寸，所述第一矫正尺寸与所述测试尺寸相等；获取与所述参考图形对应的参考信息；重复所述阈值获取处理至获取若干参考信息以及相应的阈值信息；建立参考信息和阈值信息的对应关系模型。

可选的，所述阈值信息包括光强阈值，所述参考光强分布中光强大于和等于所述光强阈值的位置信息构成的图形为第一矫正图形。

可选的，还包括：根据测试图形获取若干参考光强分布和的初始光强阈值。

可选的，所述阈值信息包括所述初始光强阈值和阈值误差，或者所述阈值信息包括光强阈值；获取所述阈值误差的方法包括：通过所述测试图形和参考光强分布获取测试光强阈值，所述参考光强分布中光强大于和等于所述测试光强阈值的位置信息构成的图形为所述第一矫正图形；根据所述测试光强阈值与初始光强阈值之差，获取阈值误差。

可选的，当所述阈值信息包括光强阈值时，获取所述光强阈值的方法包括：通过所述阈值误差对所述初始光强阈值进行补偿，获取光强阈值。