[发明专利]一种探测器的金属电极形成方法

权利要求书

1.一种探测器的金属电极形成方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤S01：提供一表面已形成敏感材料层图形的探测器结构；

步骤S02：在所述敏感材料层上沉积金属层，将敏感材料层图形的表面、台阶侧壁及其图形以外区域覆盖；

步骤S03：在所述金属层上形成光刻胶图形，并使需要形成金属电极图形的金属层表面区域露出；

步骤S04：在露出的金属层表面形成金属氧化物层图形；

步骤S05：去除光刻胶图形；

步骤S06：以金属氧化物层图形为掩模，去除金属氧化物层图形覆盖区域以外的金属层材料，以形成金属电极。

2.根据权利要求1所述的探测器的金属电极形成方法，其特征在于，步骤S03中，通过在所述金属层上形成光刻胶层，并将光刻掩模中的金属电极图形设置为不透光图形，以在光刻后，在所述金属层上形成金属电极图形区域被打开的光刻胶图形。

3.根据权利要求1所述的探测器的金属电极形成方法，其特征在于，步骤S04中，采用O₂等离子体对露出的金属层表面进行处理，以在露出的金属层表面形成金属氧化物层图形。

4.根据权利要求1所述的探测器的金属电极形成方法，其特征在于，步骤S04中，采用低能离子注入O的方式，对露出的金属层表面进行处理，以在露出的金属层表面形成金属氧化物层图形。

5.根据权利要求1-4任意一项所述的探测器的金属电极形成方法，其特征在于，所述金属层采用金属、金属氮化物、金属的叠层薄膜。

6.根据权利要求5所述的探测器的金属电极形成方法，其特征在于，所述叠层薄膜中，位于上层的金属用于形成金属氧化物层，位于下层的金属用于增强整个金属层与敏感材料层的连接，位于中层的金属氮化物用于在形成金属氧化物层图形时，阻挡氧化过程向下层的扩散。

7.根据权利要求6所述的探测器的金属电极形成方法，其特征在于，通过所述叠层薄膜中位于下层的金属实现与金属层下层的金属功能层的电连接。

8.根据权利要求1所述的探测器的金属电极形成方法，其特征在于，步骤S05中，采用湿法工艺去除光刻胶图形。

9.根据权利要求1所述的探测器的金属电极形成方法，其特征在于，步骤S06中，以金属氧化物层图形为掩模，并采用湿法工艺刻蚀去除金属氧化物层图形覆盖区域以外未经氧化的金属层材料。

10.根据权利要求9所述的探测器的金属电极形成方法，其特征在于，去除金属氧化物层图形覆盖区域以外未经氧化的金属层材料包括去除金属氧化物层图形覆盖区域以外敏感材料层图形的表面、台阶侧壁及敏感材料层图形以外区域覆盖的未经氧化的金属层材料。