[发明专利]单面出光的LED芯片及其制作方法在审
| 申请号： | 201810298933.1 | 申请日： | 2018-04-04 |
| 公开（公告）号： | CN108336204A | 公开（公告）日： | 2018-07-27 |
| 发明（设计）人： | 张智 | 申请（专利权）人： | 上海恩弼科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/44 | 分类号： | H01L33/44;H01L33/46 |
| 代理公司： | 上海唯源专利代理有限公司 31229 | 代理人： | 曾耀先 |
| 地址： | 200001 上海市黄浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光层 挡光 挡光材料 挡光层 上表面 填充 衬底上表面 高精度光源 光学编码器 侧面 边缘处 电连接 电极 衬底 漏出 涂覆 制作 | ||
1.一种单面出光的LED芯片，其特征在于，包括：
一衬底；
设于所述衬底上表面的反射层；
设于所述反射层上表面的发光层，所述发光层的侧面上覆有侧挡光层，且所述发光层的上表面靠近边缘处形成有沟槽，所述沟槽内填充有挡光材料；以及
与所述发光层电连接的电极。
2.如权利要求1所述的单面出光的LED芯片，其特征在于，所述发光层的侧面向内倾斜形成倾斜面。
3.如权利要求2所述的单面出光的LED芯片，其特征在于，所述倾斜面为圆弧形的凹面。
4.如权利要求1或2所述的单面出光的LED芯片，其特征在于，所述侧挡光层为吸光层；所述挡光材料为吸光材料。
5.如权利要求1或2所述的单面出光的LED芯片，其特征在于，所述侧挡光层为金属反射层；所述挡光材料为金属反射材料。
6.如权利要求1所述的单面出光的LED芯片，其特征在于，所述沟槽的底部位于所述发光层的底部。
7.如权利要求1所述的单面出光的LED芯片，其特征在于，
所述发光层的上表面位于所述沟槽与所述发光层边缘之间的表面上涂覆有上挡光层，所述上挡光层的一侧与所述侧挡光层连接、所述上挡光层的另一侧与所述挡光材料连接。
8.一种单面出光的LED芯片的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供一衬底；
于所述衬底之上设置发光层，于所述发光层的侧面涂覆侧挡光层；
于所述发光层的上表面靠近边缘处加工形成沟槽，并于所述沟槽内填充挡光材料；
提供一电极，将所述电极与所述发光层电连接。
9.如权利要求8所述的单面出光的LED芯片的制作方法，其特征在于，还包括：
加工使所述发光层的侧面向内倾斜形成倾斜面。
10.如权利要求8所述的单面出光的LED芯片的制作方法，其特征在于，还包括：
选取吸光层作为所述侧挡光层；选取吸光材料作为所述挡光材料。
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