[发明专利]存储器系统

权利要求书

1.一种存储器系统，其特征在于，包括：

存储器单元，所述存储器单元包括：

多晶硅熔丝电阻器；以及

双极结晶体管，所述双极结晶体管具有集电极-发射极沟道和基极端；

其中所述双极结晶体管的所述集电极-发射极沟道与所述多晶硅熔丝电阻器串联连接在电源电压端与接地端之间；且

所述双极结晶体管的所述基极端被配置成接收晶体管控制信号以选择性地控制通过所述多晶硅熔丝电阻器的电流流动。

2.根据权利要求1所述的存储器系统，其特征在于，所述双极结晶体管被配置成选择性地控制流动通过所述多晶硅熔丝电阻器的写入电流，其中所述写入电流足够大以使所述多晶硅熔丝电阻器的状态从初始电阻状态改变为变更电阻状态。

3.根据权利要求1或权利要求2所述的存储器系统，其特征在于，所述多晶硅熔丝电阻器和所述双极结晶体管设置为相同集成电路的一部分。

4.根据在前的任一项权利要求所述的存储器系统，其特征在于，所述多晶硅熔丝电阻器和所述双极结晶体管设置在相同衬底上。

5.根据在前的任一项权利要求所述的存储器系统，其特征在于，进一步包括感测电路，所述感测电路包括电压比较器，所述电压比较器具有比较器输入端、比较器参考端和读出端，其中

所述比较器输入端耦合到所述存储器单元的单元节点，使得所述单元节点处的电压指示在所述多晶硅熔丝电阻器两端下降的电压；

所述比较器参考端可连接到参考电压；且

所述读出端被配置成响应于所述比较器输入端处的电压与所述比较器参考端处的电压之间的差而提供读出信号，使得所述读出信号表示所述多晶硅熔丝电阻器的电阻状态。

6.根据权利要求5所述的存储器系统，其特征在于，所述电压比较器包括双极晶体管差分对。

7.根据权利要求5或权利要求6所述的存储器系统，其特征在于，所述电压比较器、所述多晶硅熔丝电阻器和所述双极结晶体管设置在所述相同衬底上。

8.根据权利要求5到7中任一项权利要求所述的存储器系统，其特征在于，所述存储器系统进一步包括共用参考单元，所述共用参考单元包括：

参考电源端，所述参考电源端连接到所述存储器单元的所述电源电压端；

参考单元接地端，所述参考单元接地端连接到所述存储器单元的所述接地端；

多个参考多晶硅熔丝电阻器，所述多个参考多晶硅熔丝电阻器彼此串联连接在所述参考电源端与所述参考单元接地端之间；以及

参考电压端，所述参考电压端连接到所述电压比较器的所述比较器参考端且被配置成提供电压，所述电压表示在所述多个参考多晶硅熔丝电阻器两端下降的电压。

9.根据在前的任一项权利要求所述的存储器系统，其特征在于，进一步包括读取电路，其中所述读取电路包括：

单元电流端，所述单元电流端可连接到电流源以在读取模式期间传导读取电流；

单元探测端，所述单元探测端用于提供指示在所述多晶硅熔丝电阻器两端下降的电压的信号；

第一读取开关，所述第一读取开关连接在(i)所述多晶硅熔丝电阻器与(ii)所述单元探测端之间，以便根据读取输入信号将所述多晶硅熔丝电阻器选择性地连接到所述单元探测端；以及

第二读取开关，所述第二读取开关连接在(i)所述多晶硅熔丝电阻器与(ii)所述单元电流端之间，以便根据读取输入信号将所述多晶硅熔丝电阻器选择性地连接到所述单元电流端。

10.一种集成电路，其特征在于，包括根据在前的任一项权利要求所述的存储器系统。