[发明专利]一种用于金刚线切割多晶硅片太阳能电池的制绒方法

权利要求书

1.一种用于金刚线切割多晶硅太阳能电池片的制绒方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)在预处理后的金刚线切割多晶硅片表面涂覆光刻胶薄膜，曝光显影形成掩膜图案；其中，光刻胶涂敷方式为丝网印刷或者喷涂；光刻胶掩膜层厚度为2～5微米；掩膜开孔尺寸为7～9微米，掩膜周期在20微米以内；金刚线切割多晶硅片采用以下过程进行预处理：采用酸性或碱性刻蚀液对金刚线切割多晶硅片两面进行刻蚀，去除金刚线切割多晶硅片表面损伤层，然后清洗烘干；

2)对光刻胶掩膜层表面进行处理，改善光刻胶掩膜层表面的亲水性能，使得25℃下光刻胶掩膜层表面接触角降低到15°以下；其中，对光刻胶掩膜层表面进行表面处理的具体过程如下：采用质量浓度0.1～1％的表面活性剂的水溶液浸渍、喷淋或涂布光刻胶掩膜层，使得25℃下光刻胶掩膜层表面接触角降低到15°以下；表面活性剂为AEO系列或烷烃复配型表面活性剂；

3)将金刚线切割多晶硅片形成有光刻胶掩膜层的一面朝下，放置在滚轮上，滚轮放置在酸性刻蚀液中，金刚线切割多晶硅片背面上设置有压轮，使只有金刚线切割多晶硅片单面接触到酸性刻蚀液，硅片背面同空气接触，酸性刻蚀液通过表面处理后的掩模上的开孔对金刚线切割多晶硅片进行刻蚀；其中，酸性刻蚀液为氢氟酸与硝酸的混合液，并且体积比氢氟酸：硝酸＝1:(4～8)；其中，氢氟酸质量浓度为49％，硝酸质量浓度为68％；

4)将刻蚀后的金刚线切割多晶硅片通过高温烧结炉去除表面剩余的光刻胶，烧结后的金刚线切割多晶硅片经过酸洗、碱洗以及水洗，得到单面制绒的金刚线切割多晶硅片；绒面结构尺寸是微米级。

2.根据权利要求1所述的一种用于金刚线切割多晶硅太阳能电池片的制绒方法，其特征在于，步骤3)中酸刻蚀液温度为10～18℃。

3.根据权利要求1所述的一种用于金刚线切割多晶硅太阳能电池片的制绒方法，其特征在于，步骤4)中烧结温度为500～600℃，时间为40s～60s。