[发明专利]抽检式太阳能电池片电注抗光衰工艺在审
| 申请号: | 201810226481.6 | 申请日: | 2018-03-19 |
| 公开(公告)号: | CN108417668A | 公开(公告)日: | 2018-08-17 |
| 发明(设计)人: | 张海生;李华超 | 申请(专利权)人: | 苏州巨能图像检测技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L21/66 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 215300 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 电注 光衰 主机 样品检测结果 输送轨道 太阳能电池片 硅片 一体式连接 抽样检测 工艺调整 设备维修 直接放置 指令下达 烧结 工位处 间接性 烧结炉 位置处 检测 工位 | ||
本发明抽检式太阳能电池片电注抗光衰工艺,包括如下步骤:1)硅片于烧结炉中烧结后,直接放置于输送轨道上,输送轨道为与电注抗光衰主机一体式连接;2)输送轨道输送硅片进入电注抗光衰主机进行电注抗光衰处理,电注抗光衰主机上设置有若干检测工位;3)电注抗光衰处理过程中,通过抽样检测指令下达,检测工位处排除其相应位置处的样品,此时电注抗光衰主机间接性停止作业,等待样品检测结果;41)样品检测结果为合格时,电注抗光衰主机继续作业;42)样品检测结果为不合格时,进行工艺调整或设备维修。
技术领域
本发明涉及自动化生产设备及自动化生产工艺技术领域,特别涉及应用于太阳能电池片制备的自动化设备及生产工艺,具体的,其展示一种抽检式太阳能电池片电注抗光衰工艺。
背景技术
电注抗光衰工艺是太阳能电池片制备过程中的基础工艺之一,现阶段的电注抗光衰工艺为太阳能电池片的硅片烧结完成后,经缓存机及上料机,后进入电注抗光衰主机,进行工艺处理;处理完成后,下料机再将硅片从料盒中取出放入产线,输送到后端工艺设备生产;但现阶段的电注抗光衰工艺中,无法对处于电注抗光衰主机中的硅片进行检测,只能在下料机处进行检查,存在当于下料处的检测中发现硅片不合格时,需要进行生产工艺调整,此时位于不合格硅片前的于电注抗光衰主机中硅片均需为不合格品,严重浪费生产成本。
因此,有必要提供一抽检式太阳能电池片电注抗光衰工艺来解决上述问题。
发明内容
本发明的目的是提供一种抽检式太阳能电池片电注抗光衰工艺。
技术方案如下:
一种抽检式太阳能电池片电注抗光衰工艺,包括如下步骤:
1)硅片于烧结炉中烧结后,直接放置于输送轨道上,输送轨道为与电注抗光衰主机一体式连接;
2)输送轨道输送硅片进入电注抗光衰主机进行电注抗光衰处理,电注抗光衰主机上设置有若干检测工位;
3)电注抗光衰处理过程中,通过抽样检测指令下达,检测工位处排除其相应位置处的样品,此时电注抗光衰主机间接性停止作业,等待样品检测结果;
41)样品检测结果为合格时,电注抗光衰主机继续作业;
42)样品检测结果为不合格时,进行工艺调整或设备维修。
进一步的,步骤3)中,抽样检测指令下达为通过人工于人机操作界面进行指令下达操作。
进一步的,步骤3)中,抽样检测指令下达通过于设备PLC程序上设定多长时间间隔进行抽样检测步骤实现。
进一步的,电注抗光衰主机两侧设置有与输送轨道配合使用的上料机和下料机。
进一步的,所述输送轨道端部设置有后套缓冲机。
与现有技术相比,本发明在电注抗光衰工艺中增加抽样检测功能,避免存产品制备过程中的生产浪费。
附图说明
图1是本发明的结构示意图之一。
具体实施方式
实施例:
请参阅图1 ,本实施例展示一种抽检式太阳能电池片电注抗光衰工艺,包括如下步骤:
1)硅片于烧结炉1中烧结后,直接放置于输送轨道2上,输送轨道2为与电注抗光衰主机3一体式连接;
2)输送轨道2输送硅片进入电注抗光衰主机3进行电注抗光衰处理,电注抗光衰主机3上设置有若干检测工位;
3)电注抗光衰处理过程中,通过抽样检测指令下达,检测工位处排除其相应位置处的样品,此时电注抗光衰主机3间接性停止作业,等待样品检测结果;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州巨能图像检测技术有限公司,未经苏州巨能图像检测技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810226481.6/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





