[发明专利]一种低串扰大模场面积多芯光纤及其制备方法

权利要求书

1.一种低串扰大模场面积多芯光纤，所述多芯光纤包括中芯(1)、围绕在中芯(1)外的包覆层I(3)，以及沿光纤轴线延伸且呈正多边形排列的多个旁芯(2a～2f)，覆盖中芯(1)、包覆层I(3)和多个旁芯(2a～2f)的包覆层II(4)；所述中芯(1)具有最高有效折射率n1，多个旁芯(2a～2f)具有第二高有效折射率n2，包覆层I(3)具有第三高有效折射率n3，包覆层II(4)具有第四高有效折射率n4，且n1＞n2＞n3＞n4，n4＞1.4500，n1与n2的差值为0.0001-0.0010范围的任意值，n1与n3的差值为0.0010-0.0050范围的任意值，n2与n3的差值为0.0001-0.0010范围的任意值，n3与n4的差值为0.0010-0.0050范围的任意值；所述中芯(1)的芯直径范围为8-10μm，包覆层I(3)的直径范围为22-27μm，所述多个旁芯(2a～2f)中任意两个旁芯的直径可相同或不同，旁芯的直径范围为8-10μm，所述包覆层II(4)形成无孔口结构并覆盖中芯(1)、包覆层I(3)和多个旁芯(2a～2f)，包覆层II(4)的直径为120-130μm中的任意值。

2.根据权利要求1所述一种低串扰大模场面积多芯光纤，其特征在于：所述多个旁芯(2a～2f)采用密集排列方式在中芯(1)外形成正多边形，旁芯(2a～2f)的数目不低于3个，所述多个旁芯(2a～2f)中任意两个相邻旁芯的芯间距为33.5-42μm范围的任意值，并且互不接触，所述多个旁芯(2a～2f)形成的正多边形中任意一个旁芯到中芯(1)的芯间距相同，芯间距为33.5-42μm范围的任意值。

3.一种低串扰大模场面积多芯光纤的制备方法，其特征在于，用于制备权利要求1或2所述的多芯光纤，包括以下步骤：

制备中芯(1)，在玻璃套管上沉积选择性掺杂金属元素或非金属元素的高纯度的SiO₂，制备中芯(1)；

制备包覆层I(3)，中芯(1)轴向外部气相沉积掺杂二氧化硅，形成包覆层I(3)；

制备包覆层II(4)，包覆层I(3)轴向外部气相沉积掺杂氟元素的二氧化硅，形成包覆层II(4)；

制备旁芯(2a～2f)，利用钻孔工艺在包覆层II(4)上打孔，孔内沉积多个旁芯(2a～2f)；

拉丝，形成多芯光纤。

4.根据权利要求3所述一种低串扰大模场面积多芯光纤的制备方法，其特征在于：所述金属元素为锗、锑、铒、镱、镨、铥、钠、钾中的一种或其任意组合，任意组合时其中一组分为锗元素，所述锗元素选自GeCl₄、GeBr₄、GeF₄、GeO₂、GeNa₂O₃中的一种或任意两种的组合，金属元素的掺杂量不高于摩尔百分比的9％；所述非金属元素为磷，所述磷元素选自P₂O₅、POCl₃、PCl₃、PCl₅中的一种或其任意组合，非金属元素的掺杂量不高于摩尔百分比的5％。

5.根据权利要求3所述一种低串扰大模场面积多芯光纤的制备方法，其特征在于：所述掺杂二氧化硅是由纯度为99.99％的SiCl₄与掺杂物按一定比例混合，搅拌均匀，并在氢氧焰的作用下得到掺杂二氧化硅并轴向沉积在中芯(1)表面形成包覆层I(3)；所述掺杂物为ZrF₄、SiF₄、AlF₃、NaF、BCl₃、BF₃、NaBO₂中的一种或任意两种组合，所述掺杂物为固体时，固体颗粒粒径不大于100nm，掺杂物的掺杂量不高于摩尔百分比的10％。