[发明专利]一种图像传感器及其制造方法有效
| 申请号: | 201810220642.0 | 申请日: | 2018-03-16 |
| 公开(公告)号: | CN108447880B | 公开(公告)日: | 2020-10-20 |
| 发明(设计)人: | 隋浩智 | 申请(专利权)人: | 隋浩智 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 石家庄君联专利代理事务所(特殊普通合伙) 13125 | 代理人: | 高宝新 |
| 地址: | 262500 山东省潍坊市青*** | 国省代码: | 山东;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 图像传感器 及其 制造 方法 | ||
本发明提供了一种图像传感器及其制造方法,其无需衬底上形成再分布层结构即可实现再分布作用,灵活且易于操作;可以实现多个传感器芯片之间的串并联形式,无需封装后再进行电连接。
技术领域
本发明涉及敏感元器件的传感器领域,具体涉及一种图像传感器及其制造方法。
背景技术
光敏传感器中最简单的电子器件是光敏电阻,它能感应光线的明暗变化,输出微弱的电信号,通过简单电子线路放大处理,可以控制LED灯具的自动开关。因此在自动控制、家用电器中得到广泛的应用,对于远程的照明灯具,例如:在电视机中作亮度自动调节,照相机种作自动曝光;另外,在路灯、航标等自动控制电路、卷带自停装置及防盗报警装置中等
光敏传感器是最常见的传感器之一,它的种类繁多,主要有:光电管、光电倍增管、光敏电阻、光敏三极管、太阳能电池、光线传感器、紫外线传感器、光纤式光电传感器、色彩传感器、CCD和CMOS图像传感器等。国内主要厂商有OTRON品牌等。光传感器是目前产量最多、应用最广的传感器之一,它在自动控制和非电量电测技术中占有非常重要的地位。最简单的光敏传感器是光敏电阻,当光子冲击接合处就会产生电流。
现有的图像传感器的封装往往需要通过在衬底背面形成再分布层来进行引出端子的迁移,以实现与现有的PCB等电路板进行电互连,该种迁移的方式增加了衬底的多次处理,且成本较大。
发明内容
基于解决上述问题,本发明提供了一种图像传感器的制造方法,包括以下步骤:
(1)提供一衬底,所述衬底具有相对的第一表面与第二表面,在所述第一表面上设置有多个光接收区以及在所述多个光接收区两侧的多个电极;
(2)在所述衬底内形成多个第一通孔,所述多个第一通孔与所述多个电极隔开一段距离;
(3)在所述多个光接收区附近形成对准标记,并注塑形成在所述多个光接收区之间的间隔墙,所述间隔墙覆盖所述多个电极,但不覆盖所述多个光接收区和所述对准标记;
(4)在所述间隔墙内形成多个第二通孔和多个第三通孔,所述多个第二通孔的底面分别与所述多个电极接触,所述多个第三通孔的底部分别与所述多个第一通孔的顶面接触;
(5)在所述第一通孔的底面形成外部连接端子、第二通孔的顶面以及第三通孔的顶面形成连接件;
(6)提供一透明基板,其具有上表面和下表面,在所述下表面上设有电路图案以及覆盖所述电路图案的粘合胶,所述电路图案包括第一焊盘、第二焊盘以及电连接所述第一焊盘和第二焊盘的线路,利用所述对准标记将所述透明基板压合至所述间隔墙上,使得所述第一焊盘通过所述连接件与所述第二通孔电连接以及使得所述第二焊盘通过所述连接件与所述第三通孔电连接。
其中,所述第一通孔的口径大于所述第三通孔的口径。
还包括单体化步骤,具体为通过激光或机械的方式沿着所述间隔墙的中心线进行切割。
本发明还提供了一种图像传感器,其利用上述的制造方法而制得,包括:
衬底,所述衬底具有相对的第一表面与第二表面,在所述第一表面上设置有包含一光接收区以及在所述光接收区两侧的多个电极;
多个第一通孔,形成在所述衬底内,所述多个第一通孔与所述多个电极隔开一段距离;
对准标记,形成在所述光接收区附近,和注塑形成的在所述光接收区之间的间隔墙,所述间隔墙覆盖所述多个电极,但不覆盖所述光接收区和所述对准标记;
多个第二通孔和多个第三通孔,形成在所述间隔墙内,所述多个第二通孔的底面分别与所述多个电极接触,所述多个第三通孔的底部分别与所述多个第一通孔的顶面接触;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





