[发明专利]声表面波材料及其制作方法

权利要求书

1.一种声表面波材料，其特征在于，包括硅基底、在所述硅基底之上的硅基薄膜、以及在所述硅基薄膜之上的压电单晶薄膜；

所述压电单晶薄膜为钽酸锂压电单晶薄膜或铌酸锂压电单晶薄膜；

所述硅基薄膜的键合面或所述压电单晶薄膜的键合面或所述硅基底的键合面上制作有沟槽结构阵列；

所述硅基薄膜的键合面、所述压电单晶薄膜的键合面、所述硅基底的键合面均为抛光面。

2.根据权利要求1所述的声表面波材料，其特征在于，所述沟槽结构阵列制作在所述硅基薄膜的键合面上；

所述硅基薄膜制作有所述沟槽结构阵列的一面与所述压电单晶薄膜键合，所述硅基薄膜生长在所述硅基底之上。

3.根据权利要求1所述的声表面波材料，其特征在于，所述沟槽结构阵列制作在所述压电单晶薄膜的键合面上；

所述硅基薄膜在所述压电单晶薄膜制作有所述沟槽结构阵列的一面之下。

4.根据权利要求1所述的声表面波材料，其特征在于，所述沟槽结构阵列制作在所述硅基底的键合面上；

所述硅基薄膜生长在所述硅基底制作有所述沟槽结构阵列的一面。

5.根据权利要求1所述的声表面波材料，其特征在于，所述沟槽结构阵列中沟槽的开槽方向与所述压电单晶薄膜的键合面传输边的夹角为0°至90°之间的任意角度。

6.一种声表面波材料的制作方法，其特征在于，所述方法包括：

制作光刻板，所述光刻板上设置有沟槽阵列图形，所述沟槽阵列图形包括若干个沟槽图形；

清洗压电单晶薄膜和硅基底；所述压电单晶薄膜为钽酸锂压电单晶薄膜或铌酸锂压电单晶薄膜；

利用所述光刻板，在所述压电单晶薄膜或所述硅基底上制作沟槽结构阵列；在所述压电单晶薄膜或所述硅基底上生长硅基薄膜；或，在所述硅基底上生长硅基薄膜；利用所述光刻板，在所述硅基薄膜上制作沟槽结构阵列；

键合生成所述声表面波材料；

其中，在所述声表面波材料中，所述压电单晶薄膜在所述硅基薄膜上方，所述硅基薄膜在所述硅基底上方。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，当利用所述光刻板在所述硅基底上制作所述沟槽结构阵列时，所述在所述压电单晶薄膜或所述硅基底上生长硅基薄膜，包括：

在所述硅基底上制作有所述沟槽结构阵列的一面生长所述硅基薄膜；

所述键合生成所述声表面波材料，包括：

将所述硅基薄膜与所述压电单晶薄膜键合，生成所述声表面波材料；

其中，所述沟槽结构阵列中沟槽的开槽方向与所述压电单晶薄膜的键合面传输边的夹角为0°至90°之间的任意角度。

8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，当利用所述光刻板在所述压电单晶薄膜上制作所述沟槽结构阵列时，所述在所述压电单晶薄膜或所述硅基底上生长硅基薄膜，包括：

在所述硅基底上生长所述硅基薄膜；

所述键合生成所述声表面波材料，包括：

将所述硅基薄膜与所述压电单晶薄膜上制作有所述沟槽结构阵列的一面键合，生成所述声表面波材料；

其中，所述沟槽结构阵列中沟槽的开槽方向与所述压电单晶薄膜的键合面传输边的夹角为0°至90°之间的任意角度。

9.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，当利用所述光刻板在所述压电单晶薄膜上制作沟槽结构阵列时，所述在所述压电单晶薄膜或所述硅基底上生长硅基薄膜，包括：

在所述压电单晶薄膜上制作有所述沟槽结构阵列的一面生长所述硅基薄膜；

所述键合生成所述声表面波材料，包括：

将所述硅基薄膜与所述硅基底键合，生成所述声表面波材料；

其中，所述沟槽结构阵列中沟槽的开槽方向与所述压电单晶薄膜的键合面传输边的夹角为0°至90°之间的任意角度。

10.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，当在硅基底上生长硅基薄膜时，所述键合生成所述声表面波材料，包括：

将所述硅基薄膜与所述压电单晶薄膜键合，生成所述声表面波材料；

其中，所述沟槽结构阵列中沟槽的开槽方向与所述压电单晶薄膜的键合面传输边的夹角为0°至90°之间的任意角度。