[发明专利]一种除湿防氧化电解制备高延低峰值超薄铜箔的生箔系统

权利要求书

1.一种除湿防氧化电解制备高延低峰值超薄铜箔的生箔系统，包括电镀沉积装置（1）、棕化处理装置（2）、层压装置（3）、钻孔装置（4）、化学沉铜装置（5）、挤水装置（6）、主导辊（8）和收卷导辊（10），其特征在于，所述电镀沉积装置（1）、棕化处理装置（2）、层压装置（3）、钻孔装置（4）和化学沉铜装置（5）依次排布设置，所述电镀沉积装置（1）用于在电镀线把铝片作为阴极，在铝片的两面进行电镀沉积上一层铜箔，所述棕化处理装置（2）用于对铝片两面的铜箔进行棕化，所述层压装置（3）用于交替叠加芯板和承载两面超薄铜箔的铝片，所述主导辊（8）用于对依次经电镀沉积装置（1）、棕化处理装置（2）、层压装置（3）、钻孔装置（4）和化学沉铜装置（5）制备的铜箔进行传导，主导辊（8）右侧设有挤水装置（6），挤水装置（6）上设有挤水辊，挤水辊与主导辊（8）相对转动挤压，铜箔从挤水辊和主导辊（8）之间穿过，主导辊（8）左侧设有收卷导辊（10），所述挤水辊上方且靠近主导辊（8）处安装有风扇（7），吹风角度与铜箔平行，同时在风扇（7）相对应的挤水辊的左侧加装抽风管（11）将其产生的水汽抽离，所述收卷导辊（10）和主导辊（8）之间的铜箔两侧安装有烤箔灯（9）。

2.根据权利要求1所述的除湿防氧化电解制备高延低峰值超薄铜箔的生箔系统，其特征在于，所述电镀沉积装置（1）的工作电流密度2.0ASD，电镀时间8分钟，电镀铜箔厚度4um。

3.根据权利要求1所述的除湿防氧化电解制备高延低峰值超薄铜箔的生箔系统，其特征在于，所述钻孔装置（4）采用X-RAY钻靶机钻孔。

4.根据权利要求1所述的除湿防氧化电解制备高延低峰值超薄铜箔的生箔系统，其特征在于，所述化学沉铜装置（5）用于保持化学铜前铜厚度为1～3um。

5.根据权利要求1所述的除湿防氧化电解制备高延低峰值超薄铜箔的生箔系统，其特征在于，所述烤箔灯（9）为60瓦，温度约60℃，两个烤箔灯（9）相对应设置，且烤箔灯（9）距铜箔表面6cm。