[发明专利]封接结构及其制备方法

权利要求书

1.一种封接结构，其特征在于，包括陶瓷腔体、陶瓷引针、金属引针和导电层，所述陶瓷腔体的表面开设有通孔，所述导电层设置在所述通孔的孔壁表面，所述金属引针和所述陶瓷引针设置在所述通孔沿长度方向的不同段中并密封所述通孔，所述金属引针向所述陶瓷腔体外侧凸出，所述导电层与所述金属引针电连接，用于将所述金属引针与所述陶瓷腔体中的电学元件电连接。

2.根据权利要求1所述的封接结构，其特征在于，所述陶瓷腔体和所述陶瓷引针的材料包括氧化铝、氧化锆、氧化钇、镁铝尖晶石、碳化硅、氮化硅及氮化铝中的至少一种。

3.根据权利要求1所述的封接结构，其特征在于，所述陶瓷腔体和所述陶瓷引针的膨胀系数差值相差小于5％。

4.根据权利要求1所述的封接结构，其特征在于，所述陶瓷引针和所述陶瓷腔体的主要组分的材料相同，质量分数相差小于5％。

5.根据权利要求1所述的封接结构，其特征在于，所述陶瓷引针的长度为所述通孔的长度的1/2～3/4。

6.根据权利要求1所述的封接结构，其特征在于，所述金属引针的材料包括可伐、钛、钼、不锈钢及铌中的至少一种。

7.根据权利要求1所述的封接结构，其特征在于，所述金属引针的长度为所述通孔的长度的1/2～1/4。

8.根据权利要求1所述的封接结构，其特征在于，所述导电层的材料包括为钼锰复合层、钛钼复合层及碳层中的至少一种。

9.一种封接结构的制备方法，包括：

提供陶瓷腔体，所述陶瓷腔体的表面开设有通孔；

在所述通孔的孔壁表面形成导电层；

将陶瓷引针放置于所述通孔沿长度方向的一段中，并将所述导电层、所述陶瓷引针以及所述陶瓷腔体焊接；以及

将金属引针放置于所述通孔沿长度方向的另一段中并使所述金属引针向所述陶瓷腔体外侧凸出，并将所述导电层、所述金属引针及所述陶瓷引针焊接，从而密封所述通孔。

10.根据权利要求9所述的封接结构的制备方法，其特征在于，所述导电层、所述陶瓷引针以及所述陶瓷腔体在1300℃～1700℃进行所述焊接。

11.根据权利要求9所述的封接结构的制备方法，其特征在于，所述导电层、所述金属引针及所述陶瓷引针在700℃～1000℃进行所述焊接。

12.根据权利要求9所述的封接结构的制备方法，其特征在于，在所述通孔的孔壁表面形成所述导电层包括：

将金属膏剂涂覆于所述陶瓷腔体的所述通孔的孔壁表面；

干燥所述孔壁表面的金属膏剂，形成金属涂层；

沿所述通孔长度方向对所述干燥的金属涂层钻孔进行形状修饰，使干燥的所述金属涂层形成所述导电层，并使形成有所述导电层的所述通孔能够容纳所述陶瓷引针和所述金属引针；以及

烧结所述带有所述导电层的陶瓷腔体。