[发明专利]显示装置和相关方法

说明书

提供了涉及图案化相位延迟的显示装置和相关方法。代表性的显示装置包括：具有光源和颜色转换层的背光单元，颜色转换层具有排列方向，光包括具有第一上游偏振比的第一光、具有第二上游偏振比的第二光和具有第三上游偏振比的第三光；和定位成接收光的图案化相位延迟器，其具有改变从中穿过的光的偏振的多个半波区域和使光穿过而不改变偏振的多个自由区域；其中偏振比(PR)定义为PR＝(I_‖‑I_┴)/(I_‖+I_┴)；其中第一上游偏振比具有第一符号，第二上游偏振比和第三上游偏振比二者具有与第一符号相反的第二符号。

技术领域

本公开内容一般涉及使用偏振光的显示器。

背景技术

诸如液晶显示器(LCD)之类的显示器广泛用在诸如便携式电脑、智能手机、数码相机、广告牌型显示器和高清电视之类的电子装置中。此外，诸如OLED之类的电致发光显示器也引起了公众关注。

LCD面板例如可如Wu等人的US专利第6,956,631号(其被转让给本申请的受让人的母公司AU Optronics Corp.，通过引用将该专利的全部内容结合在此)中公开的一样配置。如Wu等人的图1中公开的，LCD面板可包括上偏振片、下偏振片、液晶单元和背光。来自背光的光穿过下偏振片，穿过液晶单元，然后穿过上偏振片。如Wu等人的图1中进一步公开的，液晶单元可包括下玻璃基板和包含滤色层的上基板。包括薄膜晶体管(TFT)器件的多个像素可以以阵列形成在玻璃基板上，并且液晶化合物可填充到玻璃基板与滤色层之间的空间中以形成液晶材料层。

如Sawasaki等人的US专利第7,557,895号(其被转让给本申请的受让人的母公司AU Optronics Corp.，通过引用将该专利的全部内容结合在此)中所述，液晶层的厚度通常必须被均匀控制，以便避免在LCD面板上的亮度不均匀。如Sawasaki等人中公开的，可通过在TFT基板与滤色层基板之间设置多个柱形间隔体来实现所需的均匀性。如Sawasaki等人中进一步公开的，柱形间隔体可形成不同高度，使得一些间隔体具有比基板之间的间隙大的高度，而其他间隔体具有比基板之间的间隙小的高度。该构造可允许基板之间的间隔随温度变化而变化，而且当力施加至面板时还可防止过度变形。

Sawasaki等人进一步公开了用于组装基板以使液晶材料位于基板之间的方法。该方法包括下述步骤：制备两个基板；在该对基板之一的外围的周边区域上涂布密封材料；在该对基板之一上滴落适当体积的液晶；以及通过在真空下贴附该对基板并且之后将贴附的该对基板返回大气压，在该对基板之间填充液晶。

在LCD面板中，构成TFT沟道的半导体材料可以是非晶硅。然而，如Chen的US专利第6,818,967号(其被转让给本申请的受让人的母公司AU Optronics Corp.，通过引用将该专利的全部内容结合在此)中公开的，多晶硅沟道TFT相比非晶硅TFT提供了优点，包括更低的功率和更大的电子迁移率。可通过经由激光结晶或激光退火技术将非晶硅转换为多晶硅来形成多晶硅。激光的使用允许在低于600℃的温度进行制造，因而该制造技术称为低温多晶硅(LTPS)。如Chen中公开的，LTPS的再结晶工艺导致在多晶硅层的表面上形成小丘(mound)，这些小丘影响LTPS TFT的电流特性。Chen公开了通过执行第一退火处理，然后例如使用氢氟酸溶液执行表面蚀刻处理，然后执行第二退火处理来减小LTPS表面小丘的尺寸的方法。最终的LTPS表面具有高度/宽度比小于0.2的小丘。然后，栅极隔离层、栅极、介电层、源极和漏极金属层可沉积在LTPS层上方，以形成完整的LTPS TFT。

如Sun等人的US专利第8,115,209号(其被转让给本申请的受让人的母公司AUOptronics Corp.，通过引用将该专利的全部内容结合在此)中公开的，与非晶硅TFT相比，LTPS TFT的缺点是在TFT截止期间相对大的漏电流。多栅极的使用减小了漏电流，Sun等人公开了许多用于多晶硅TFT的不同的多栅极结构，包括Sun等人的图2A-2B和3-6中所示的那些。