[发明专利]一种在云母衬底上制备二维三硫化二铟单晶的方法

权利要求书

1.一种在云母衬底上制备二维三硫化二铟单晶的方法，其特征在于：包括如下步骤：

S1：清洗云母片；

S2：材料准备：称量10-15mg三硫化二铟粉末，将三硫化二铟粉末放置在干净的石英舟上，将清洗过的云母片平放在石英舟的上方，然后将石英舟放置在管式炉内；

S3：气流控制：完全打开管式炉的进气阀与出气阀，打开氩气瓶，调节气体流量计气流量为500-600sccm，向管式炉的石英管通入氩气10-30分钟，以排尽空气杂质；

S4：加热生长：打开管式炉，在20分钟内从室温升至980度，在980度保温5-10分钟后自然冷却，得到二维三硫化二铟单晶。

2.根据权利要求1所述的一种在云母衬底上制备二维三硫化二铟单晶的方法，其特征在于：步骤S1所述的清洗云母片，具体为在使用云母片前，将云母片依次放进丙酮，无水乙醇，去离子水中各超声5-30分钟，然后再用去离子水冲洗数次，最后用氮气快速吹干，防止空气中的粉尘的沉积，得到清洗过的云母片。

3.根据权利要求1所述的一种在云母衬底上制备二维三硫化二铟单晶的方法，其特征在于：步骤S2中用电子天平称量三硫化二铟粉末。

4.根据权利要求1所述的一种在云母衬底上制备二维三硫化二铟单晶的方法，其特征在于：步骤S4中，在500-550度把气流减少至20sccm，在此之前保持大量氮气的流入以排尽管式炉石英管中的水蒸气。

5.根据权利要求1所述的一种在云母衬底上制备二维三硫化二铟单晶的方法，其特征在于：步骤S2中将清洗过的云母片平放在石英舟的正上方。

6.根据权利要求1所述的一种在云母衬底上制备二维三硫化二铟单晶的方法，其特征在于：将石英舟放置在管式炉正中间。