[发明专利]一种基于晶格结构不对称的双层二硫化钼能隙调控方法

权利要求书

1.一种双层二硫化钼能隙调控方法，其特征在于，包括以下步骤：

将双层二硫化钼的一层固定，另一层旋转角度θ；

根据KS方程计算旋转角度θ下的波函数

根据波函数计算得到角度θ下的电子密度n_θ(r)；

根据电子密度n_θ(r)和能量泛函，计算不同旋转角度θ下的能带结构；

根据不同旋转角度的能带结构，计算能隙大小。

2.根据权利要求1所述的一种基于晶格结构不对称的双层二硫化钼能隙调控方法，其特征在于，所述旋转角度0°≤θ≤60°(二硫化钼是以60°为周期的晶格结构)。

3.根据权利要求1所述的一种基于晶格结构不对称的双层二硫化钼能隙调控方法，其特征在于，所述KS方程为：

其中，V_eff(r)为有效势，它可以定义为V_eff(r)＝V_ext(r)+V_H(r)+V_XC(r)，其中分别为外势、Hartree势和交换相关势。

4.根据权利要求1所述的一种基于晶格结构不对称的双层二硫化钼能隙调控方法，其特征在于，所述电子密度n_θ(r)为：

其中，为波函数。

5.根据权利要求1所述的一种基于晶格结构不对称的双层二硫化钼能隙调控方法，其特征在于，所述能量泛函为：

其中，T(n)是动能，n(r)为电子密度，E_XC[n]是交换能，V_XC(r)为外势能。