[发明专利]一种抗磁闪烁探测器探头在审
| 申请号： | 201810177423.9 | 申请日： | 2018-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN110231645A | 公开（公告）日： | 2019-09-13 |
| 发明（设计）人： | 屈春蕾 | 申请（专利权）人： | 无锡通透光电科技有限公司 |
| 主分类号： | G01T1/202 | 分类号： | G01T1/202 |
| 代理公司： | 无锡市朗高知识产权代理有限公司 32262 | 代理人： | 赵华 |
| 地址： | 214000 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 闪烁晶体 硅光电倍增管 探头 抗磁 闪烁探测器 表面紧贴 防潮处理 磁屏蔽 分压器 硅酸钇 后端面 锗酸铋 强磁 磁场 探测 | ||
【权利要求书】：
1.一种抗磁闪烁探测器探头，其特征在于，包括外壳（1），所述外壳（1）内设置有闪烁晶体（2）和硅光电倍增管（3），所述闪烁晶体（2）后端面与硅光电倍增管（3）的表面紧贴，所述闪烁晶体（2）为硅酸钇或锗酸铋中的一种，所述硅光电倍增管（3）远离闪烁晶体（2）的一侧连接有分压器（4）。
2.根据权利要求1所述的一种抗磁闪烁探测器探头，其特征在于：所述闪烁晶体（2）的形状为立方体或圆柱体。
3.根据权利要求1或2所述的一种抗磁闪烁探测器探头，其特征在于：所述闪烁晶体（2）外层裹覆有反射层（5）。
4.根据权利要求1所述的一种抗磁闪烁探测器探头，其特征在于：，所述反射层（5）采用特氟龙反射层。
5.根据权利要求1所述的一种抗磁闪烁探测器探头，其特征在于：所述闪烁晶体（2）与硅光电倍增管（3）接触面上涂覆有光耦合剂（6）。
6.根据权利要求1所述的一种抗磁闪烁探测器探头，其特征在于：所述闪烁晶体（2）并列设置有多个。
7.根据权利要求1所述的一种抗磁闪烁探测器探头，其特征在于：所述硅光电倍增管（3）对应闪烁晶体（2）并列设置有多个。
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