[发明专利]多层陶瓷电子元件及其制造方法

权利要求书

1.一种多层陶瓷电子元件，该多层陶瓷电子元件包括：

陶瓷体，该陶瓷体包括介电层；

多个内电极，该多个内电极相互相对地设置在所述陶瓷体内并使所述介电层插入所述内电极之间；以及

外电极，该外电极与所述多个内电极电连接，

其中，所述陶瓷体包括活性层和覆盖层，所述活性层与电容形成部相对应，所述覆盖层形成在所述活性层的上表面和下表面中的至少一者上并且与非电容形成部相对应，

在所述陶瓷体的沿宽度方向的中间部分截取的所述陶瓷体的沿长度和厚度方向的横截面中，所述覆盖层的平均厚度为小于或等于15μm，

所述外电极包括导电金属和玻璃，

并且当所述外电极被所述玻璃占据的面积为A，且所述外电极被所述导电金属占据的面积为B时，满足0.05≤A/B≤0.6，并且所述玻璃具有绝缘性。

2.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子元件，其中，当在所述陶瓷体的沿厚度方向的中间部分的所述外电极的厚度为Tc，并且在沿所述厚度方向与所述电容形成部的中间部分相距所述陶瓷体的长度的25％的点处的所述外电极的厚度为T1时，满足T1/Tc≥0.8。

3.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子元件，其中，当在所述陶瓷体的沿厚度方向的中间部分的所述外电极的厚度为Tc，并且在形成有多个所述内电极的所述电容形成部的最外侧点的所述外电极的厚度为T2时，满足T2/Tc≥0.5。

4.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子元件，其中，所述导电金属是选自由铜(Cu)、镍(Ni)、银(Ag)和银-钯(Ag-Pd)组成的组中的至少一者。

5.一种多层陶瓷电子元件的制造方法，该方法包括：

制备陶瓷体，该陶瓷体包括介电层和多个内电极，该多个内电极相互相对设置并使所述介电层插入所述内电极之间；

将外电极糊涂覆到所述陶瓷体上，以与所述多个内电极电连接；以及

通过烧结所述陶瓷体来形成外电极，

其中，所述陶瓷体包括活性层和覆盖层，所述活性层与电容形成部相对应，所述覆盖层形成在所述活性层的上表面和下表面中的至少一者上并且与非电容形成部相对应，

在所述陶瓷体的沿宽度方向的中间部分截取的所述陶瓷体的沿长度和厚度方向的横截面中，所述覆盖层的平均厚度为小于或等于15μm，

所述外电极包括导电金属和玻璃，

并且当所述外电极被所述玻璃占据的面积为A，且所述外电极被所述导电金属占据的面积为B时，满足0.05≤A/B≤0.6，并且所述玻璃具有绝缘性。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，当在所述陶瓷体的沿厚度方向的中间部分的所述外电极的厚度为Tc，并且在沿所述厚度方向与所述电容形成部的中间部分相距所述陶瓷体的长度的25％的点处的所述外电极的厚度为T1时，满足T1/Tc≥0.8。

7.根据权利要求5所述的方法，其中，当在所述陶瓷体的沿厚度方向的中间部分的所述外电极的厚度为Tc，并且在形成有所述多个内电极的所述电容形成部的最外侧点的所述外电极的厚度为T2时，满足T2/Tc≥0.5。

8.根据权利要求5所述的方法，其中，在所述外电极糊中，所述玻璃的体积含量是所述导电金属的30％至200％。

9.根据权利要求5所述的方法，其中，所述导电金属是选自由铜(Cu)、镍(Ni)、银(Ag)和银-钯(Ag-Pd)组成的组中的至少一者。