[发明专利]一种电压转换的方法及电压转换电路在审
| 申请号： | 201810161500.1 | 申请日： | 2018-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN108390671A | 公开（公告）日： | 2018-08-10 |
| 发明（设计）人： | 许溢允 | 申请（专利权）人： | 郑州云海信息技术有限公司 |
| 主分类号： | H03K19/0185 | 分类号： | H03K19/0185 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 罗满 |
| 地址： | 450018 河南省郑州市*** | 国省代码： | 河南;41 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属氧化物半导体 场效晶体管 电压转换 源极 电压转换电路 关断 闸极 芯片 场效晶体管导通 降低电压 空间占用 导通 传送 输出 转换 | ||
1.一种电压转换的方法，其特征在于，包括：
第一芯片向金属氧化物半导体场效晶体管的源极传送第一电压；
根据所述第一电压，所述金属氧化物半导体场效晶体管导通或关断所述源极与闸极之间的通道；
根据所述源极与所述闸极之间的通道的导通或关断情况，所述金属氧化物半导体场效晶体管通过基极向第二芯片输出与所述第一电压相对应的第二电压。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一芯片向金属氧化物半导体场效晶体管的源极传送第一电压包括：
所述第一芯片向所述金属氧化物半导体场效晶体管的所述源极传送高凖位电压。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一芯片向金属氧化物半导体场效晶体管的源极传送第一电压还包括：
所述第一芯片向所述金属氧化物半导体场效晶体管的所述源极传送低凖位电压。
4.一种电压转换电路，其特征在于，所述电路包括：
第一芯片，用于向金属氧化物半导体场效晶体管的源极传送第一电压；
金属氧化物半导体场效晶体管，用于根据所述第一电压，导通或关断所述源极与闸极之间的通道；并根据根据所述源极与所述闸极之间的通道的导通或关断情况，通过基极向第二芯片输出与所述第一电压相对应的第二电压；
第二芯片，用于接收所述第二电压。
5.根据权利要求4所述的电压转换电路，其特征在于，所述第一芯片具体用于：
向所述金属氧化物半导体场效晶体管的所述源极传送高凖位电压或向所述金属氧化物半导体场效晶体管的所述源极传送低凖位电压。
6.根据权利要求5所述的电压转化电路，其特征在于，所述金属氧化物半导体场效晶体管具体为双金属氧化物半导体场效晶体管。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于郑州云海信息技术有限公司，未经郑州云海信息技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810161500.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种手势开关
- 下一篇：一种生成高精度时钟的数字振荡器频率合成的方法和装置
