[发明专利]抗菌牙种植体及其制备方法

权利要求书

1.一种抗菌牙种植体，其特征在于，包括：

牙种植体本体；

微弧氧化膜层，设置在所述牙种植体本体的表面上；以及

纳米抗菌功能材料，负载在所述微弧氧化膜层上。

2.根据权利要求1所述的抗菌牙种植体，其特征在于，所述微弧氧化膜层的厚度为2～15μm，优选为3～10μm；所述微弧氧化膜层中孔的孔径为2～10μm，优选为2～5μm；所述微弧氧化膜层的孔隙率为5～20％，优选为8～20％；优选所述微弧氧化膜层中的活性元素包括Ca和P。

3.根据权利要求1所述的抗菌牙种植体，其特征在于，所述纳米抗菌功能材料包括纳米银，优选所述纳米抗菌功能材料包括纳米银和纳米锌。

4.根据权利要求1所述的抗菌牙种植体，其特征在于，所述牙种植体本体为钛基合金本体，所述钛基合金本体选自纯钛、Ti-6Al-4V、Ti-6Al-17Nb、Ti-13Nb-13Zr和Ti-5Zr-3Mo-15Nb中的一种。

5.一种抗菌牙种植体的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

步骤S1，对牙种植体本体进行微弧氧化，以在所述牙种植体本体上原位生长微弧氧化膜层；

步骤S2，对经过所述微弧氧化的所述牙种植体本体进行等离子体浸没式离子注入，以在所述微弧氧化膜层上负载纳米抗菌功能材料。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S2的等离子体浸没式离子注入采用等离子体浸没式离子注入设备实施，且控制所述等离子体浸没式离子注入设备的真空室的真空度为5×10^-3～8×10^-3Pa，注入电压为-50～-30KV，注入时间为1～3h，优选所述步骤S2注入的元素为银离子和/或锌离子。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述真空度为5.5×10^-3～6.5×10^-3Pa，所述注入电压为-35～-45KV，所述注入时间为1.5～2.5h。

8.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述微弧氧化所采用的电解液中，钙元素的浓度记为m mol/L，磷元素的浓度记为n mol/L，当0.01≤m＜0.2时，(0.1m+0.025)≤n＜0.05；当0.2≤m≤0.6时，0.075≤n≤m/0.875，优选0.4＜m≤0.6时，0.25≤n≤m/0.875；优选钙源选自乙酸钙、氯化钙、磷酸二氢钙、甘油磷酸钙、柠檬酸钙、乳酸钙和氧化钙的一种或几种；更优选磷源选自甘油磷酸钠、磷酸二氢钠、磷酸氢二钠、六偏磷酸钠和聚磷酸钠中的一种或几种。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述电解液还包括EDTA-2Na和硅酸钠，优选利用氢氧化钠或氢氧化钾调节所述电解液pH值在11～14之间。

10.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S1的微弧氧化采用电源的电压为50～500V，所述电源的输出脉冲频率为100～1000Hz，所述电源的脉冲宽度为8～500μs，所述电源的峰值电流为0～300A，氧化时间为3～30min。

11.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述制备方法在所述步骤S1之前还包括对所述牙种植体本体进行喷砂处理的过程，优选所述喷砂处理的过程中采用的磨料为SiC或刚玉粉，进一步优选所述磨料的粒径为50～300μm；优选所述喷砂处理的过程的喷砂距离为10～15cm，压缩气体压力为2～10bar，喷射时间为5～60s。

12.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述牙种植体本体为钛基合金本体，所述钛基合金本体选自纯钛、Ti-6Al-4V、Ti-6Al-17Nb、Ti-13Nb-13Zr和Ti-5Zr-3Mo-15Nb中的一种；优选所述牙种植体本体通过増材制造技术得到，所述增材制造技术为电子束熔融制造技术和选择性激光烧结。