[发明专利]半导体装置以及使用该半导体装置的电子设备

权利要求书

1.一种半导体装置，其具有：

第1节点，其被供给第1电源电位；

第2节点，其被供给低于所述第1电源电位的第2电源电位；

信号端子，其至少用于输出信号；

输出驱动器，其包括第1输出元件和第2输出元件，该第1输出元件在导通状态时向所述信号端子提供所述第1电源电位，该第2输出元件设置于与半导体衬底电分离的P阱中，并且在导通状态时向所述信号端子提供所述第2电源电位；

开关电路，其至少根据所述信号端子的电位向所述P阱选择性地提供电位；以及

前置驱动器，其依照低侧驱动信号来驱动所述第2输出元件，

所述前置驱动器包括：

P沟道晶体管，其连接在所述第1节点与所述第2输出元件的控制端子之间，在所述低侧驱动信号为低电平时，该P沟道晶体管向所述第2输出元件的控制端子提供所述第1电源电位；

第1N沟道晶体管和第2N沟道晶体管，该第1N沟道晶体管和第2N沟道晶体管被串联连接在所述第2输出元件的控制端子与所述第2节点之间，该第1N沟道晶体管依照提供给第3节点的偏置电位而成为导通状态，在所述低侧驱动信号为高电平时，该第2N沟道晶体管经由所述第1N沟道晶体管向所述第2输出元件的所述控制端子提供所述第2电源电位；以及

第3N沟道晶体管，其连接在所述第3节点与所述P阱之间，在所述P阱的电位比所述第2电源电位低了阈值电压以上时，该第3N沟道晶体管使所述第3节点的电位下降至所述P阱的电位而将所述第1N沟道晶体管维持为截止状态，

该半导体装置还具有偏置电位供给电路，该偏置电位供给电路依照控制信号向所述第3节点提供所述偏置电位，

所述偏置电位供给电路包括：

第2P沟道晶体管，其连接在所述第1节点与所述第3节点之间，在所述控制信号为低电平时，该第2P沟道晶体管提供电流；以及

多个P沟道晶体管，它们串联连接在所述第3节点与所述第2节点之间，具有与漏极连接的栅极，由所述第2P沟道晶体管提供电流而在所述第3节点处生成所述偏置电位。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

在所述信号端子的电位为所述第2电源电位以上时，所述开关电路向所述P阱提供所述第2电源电位，在所述信号端子的电位比所述第2电源电位低了规定值以上时，所述开关电路从所述信号端子向所述P阱和所述第2输出元件的控制端子提供电位而将所述第2输出元件维持为截止状态。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，

所述开关电路包括：

第1晶体管，其连接在所述第2节点与所述P阱之间，在所述信号端子的电位比所述第2电源电位高出阈值电压以上时，向所述P阱提供所述第2电源电位；

第2晶体管，其连接在所述第2节点与所述P阱之间，在所述第2输出元件的控制端子的电位比所述第2电源电位高出阈值电压以上时，向所述P阱提供所述第2电源电位；以及

第3晶体管，其连接在所述信号端子与所述P阱之间，在所述信号端子的电位比所述第2电源电位低了阈值电压以上时，从所述信号端子向所述P阱提供电位。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，

所述开关电路还包括第4晶体管，该第4晶体管连接在所述P阱与所述第2输出元件的控制端子和所述第2晶体管的栅极之间，在所述P阱的电位比所述第2电源电位低了阈值电压以上时，该第4晶体管从所述P阱向所述第2输出元件的控制端子和所述第2晶体管的栅极提供电位而将所述第2输出元件和所述第2晶体管维持为截止状态。

5.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，

所述第1输出元件设置于与所述半导体衬底电分离的N阱中，

所述半导体装置还具有第2开关电路，该第2开关电路至少根据所述信号端子的电位向所述N阱选择性地提供电位。

6.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，

该半导体装置还具有输入电路，该输入电路从所述信号端子输入信号。

7.一种电子设备，其具有：

权利要求1～6中的任意一项所述的半导体装置；以及

第2半导体装置，其根据从所述半导体装置的所述信号端子输出的信号进行动作。