[发明专利]一种硒锗镓钡多晶的合成方法和硒锗镓钡单晶的生长方法有效
| 申请号： | 201810141666.7 | 申请日： | 2018-02-11 |
| 公开（公告）号： | CN110144624B | 公开（公告）日： | 2020-09-08 |
| 发明（设计）人： | 姚吉勇;郭扬武;李壮;罗晓宇 | 申请（专利权）人： | 中国科学院理化技术研究所 |
| 主分类号： | G02F1/355 | 分类号： | G02F1/355;C30B29/46;C30B28/02;C30B11/00 |
| 代理公司： | 北京方安思达知识产权代理有限公司 11472 | 代理人： | 陈琳琳;张红生 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 硒锗镓钡 多晶 合成 方法 硒锗镓钡单晶 生长 | ||
【权利要求书】：
1.一种硒锗镓钡多晶的合成方法，所述合成方法包括以下步骤：
1）用王水浸泡石英管和盛料用的PBN小舟，然后清洗，烘干；按照摩尔比Ba:Ga:Ge:Se＝1:2:1:6称量单质原料Ba、Ga、Ge和Se，单质Se另外过量0.5-1.5%；
2）将单质原料Ba、Ga、Ge以1:2:1的摩尔比混合放置于PBN小舟中，把小舟放置到石英管的封闭端，把单质Se放置在石英管的另一端；将石英管抽真空10-4Pa～10-6Pa，再用氢氧火焰熔封，然后放入水平双温区管式电阻炉中，电阻炉依次分为高温区、梯度区和低温区，PBN小舟位于高温区，Se位于低温区，小舟与Se之间为梯度区；
3）首先使高温区的温度升至t1＝1000～1050℃，同时使低温区温度升至t2＝700～800℃，保温70～100h，此为第一阶段；然后维持高温区温度不变，将低温区的温度升高至t2’＝t1+(10～20)℃，保温10～30h，此为第二阶段；最后整个电阻炉的温度以10～20℃/h速度降至室温，得到硒锗镓钡多晶；
步骤3）第一阶段中，高温区的升温速度为60～80℃/h，低温区的升温速度为50～70℃/h。
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