[发明专利]保护元件、电气装置、二次电池单元和垫片

权利要求书

1.一种保护元件，包括：

环状PTC层状要素，所述环状PTC层状要素由PTC组成物形成，并且在所述环状PTC层状要素的径向中心处具有第一贯通开口部；

环状金属箔，所述环状金属箔位于所述环状PTC层状要素的每一个主表面上并与所述环状PTC层状要素同轴；

环状导电性金属薄层，所述环状导电性金属薄层位于所述环状金属箔中的每一个上并与所述环状PTC层状要素同轴；和

第一熔断器层，所述第一熔断器层位于限定所述第一贯通开口部的一侧面上并电连接所述环状导电性金属薄层，

其中所述第一熔断器层包括具有第一厚度的第一金属层和具有第二厚度的第二金属层，所述第二厚度大于所述第一厚度。

2.根据权利要求1所述的保护元件，其中，

所述第一金属层由具有高熔点的金属构成，所述第二金属层由具有低熔点的金属构成。

3.根据权利要求2所述的保护元件，其中，

具有高熔点的金属是Ni。

4.根据权利要求2所述的保护元件，其中，

具有低熔点的金属具有低于所述PCT组成物的聚合物材料的分解温度的熔点。

5.根据权利要求4所述的保护元件，其中，

具有低熔点的金属是Sn、Sn-Cu合金、或者Sn-Bi合金。

6.根据权利要求2所述的保护元件，其中，

第一金属层通过对具有)高熔点的金属进行无电解镀而形成，第二金属层通过在所述第一金属层上对具有低熔点的金属进行电解镀而形成。

7.根据权利要求2所述的保护元件，其中，

第一金属层和第二金属层的厚度之比是1∶100～5∶1。

8.根据权利要求2所述的保护元件，其中，

所述环状导电性金属薄层以及所述第一熔断器层通过对具有高熔点的金属以及具有低熔点的金属施镀而形成一体。

9.根据权利要求8所述的保护元件，其中，

所述环状金属箔是镍箔或者镍镀铜箔。

10.根据权利要求1所述的保护元件，其中，

所述环状PTC层状要素包括内侧周面以及外侧周面，所述内侧周面限定所述第一贯通开口部，所述保护元件还包括第二贯通开口部，所述第二贯通开口部位于所述内侧周面与所述外侧周面之间，所述第二贯通开口部的一侧面上设有第二熔断器层。

11.一种电气装置，包括根据权利要求1～10中任一项所述的保护元件。

12.一种二次电池单元，包括根据权利要求1～10中任一项所述的保护元件。

13.一种垫片，包括：

环状PTC层状要素，所述环状PTC层状要素由PTC组成物形成，并且在所述环状PTC层状要素的径向中心处具有至少一个第一贯通开口部；

环状金属箔，所述环状金属箔位于所述环状PTC层状要素的每一个主表面上并与所述环状PTC层状要素同轴；

环状导电性金属薄层，所述环状导电性金属薄层位于所述环状金属箔的主表面中的每一个上并与所述环状PTC层状要素同轴；和

第一熔断器层，所述第一熔断器层位于限定所述至少一个第一贯通开口部中的至少一个的一侧面上并电连接所述环状导电性金属薄层，

其中所述第一熔断器层包括具有第一厚度的第一金属层和具有第二厚度的第二金属层，所述第二厚度大于所述第一厚度。