[发明专利]OLED基板与器件结构、OLED基板与装置制作方法

权利要求书

1.一种OLED器件结构，其特征在于，包括基板(10)、位于所述基板(10)任意一侧的致密保护层(30)上的OLED器件(40)、覆盖于OLED器件(40)上且与所述致密保护层(30)直接接触的基础无机保护层(50)、覆盖于基础无机保护层(50)上的缓冲层(80)，还包括将OLED器件(40)、基础无机保护层(50)和缓冲层(80)密封在所述基板(10)上的盖板(90)，所述盖板(90)为玻璃或金属箔；

基板(10)包括：

具有第一表面和第二表面的基板(10)；

位于第一表面和/或第二表面上的高能量光截止膜(20)；

所述高能量光截止膜(20)的材质为氧化硅(Si_xO_y)、氧化铌(Nb₂O₅)、氧化钽(Ta₂O₅)、二氧化钛(TiO₂)或氧化铈(CeO₂)中的任意两种组成；其中x和y为大于等于1的整数；所述高能量光截止膜(20)上覆盖有致密保护层(30)，所述致密保护层(30)由氧化硅(Si_xO_y)或氮化硅(Si_xN_y)制成，其中其中x和y为大于等于1的整数。

2.根据权利要求1所述的OLED器件结构，其特征在于，所述基础无机保护层(50)与缓冲层(80)之间还至少交替设置有一组有机保护层(60)和加强无机保护层(70)。

3.根据权利要求2所述的OLED器件结构，其特征在于，所述有机保护层(60)、加强无机保护层(70)、缓冲层(80)、和盖板(90)均与致密保护层(30)直接接触。

4.一种OLED装置的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

用真空溅射、磁控溅射、化学气相沉积或原子层沉积方法中的任意一种将氧化硅、氧化铌、氧化钽、二氧化钛或氧化铈中的任意两种或多种在具有第一表面和第二表面的基板(10)的第一表面和/或第二表面形成高能量光截止膜(20)；

用真空溅射、磁控溅射或原子层沉积方法中的任意一种将氧化硅或氮化硅在高能量光截止膜(20)的表面形成致密保护层(30)；

在所述致密保护层(30)上形成OLED器件(40)；

通过直流溅射、射频溅射、反应溅射、等离子体增强化学气相沉积、原子层沉积或涂布成膜方法中的任意一种将氧化铝、氧化硅、氮化硅、氧化钛、氧化锆、氮氧化铝、氮氧化硅和非晶碳中的至少一种在OLED器件(40)上形成与所述致密保护层(30)直接接触的基础无机保护层(50)；

通过喷墨打印方式在所述基础无机保护层(50)上形成聚酰亚胺膜作为缓冲层(80)；

在所述缓冲层(80)上覆盖盖板(90)，所述盖板(90)为玻璃或金属箔。

5.根据权利要求4所述的一种OLED装置的制作方法，其特征在于，还包括在所述基础无机保护层(50)上至少重复交替实施一次的以下步骤：

通过喷墨打印-紫外固化、闪蒸发-紫外固化、化学气相沉积、气相聚合或等离子体聚合中的任意一种方法处理聚丙烯酸酯、聚对二甲苯、聚脲、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺和聚苯乙烯中的任意一种材料以形成有机保护层(60)；

通过直流溅射、射频溅射、反应溅射、等离子体增强化学气相沉积、原子层沉积或涂布成膜方法中的任意一种将氧化铝、氧化硅、氮化硅、氧化钛、氧化锆、氮氧化铝、氮氧化硅和非晶碳中的至少一种材料在有机保护层(60)上形成加强无机保护层(70)。