[发明专利]转置装置

说明书

本发明提供一种用以转置多个微型发光二极管晶粒的转置装置。转置装置包括载板、多个可形变元件及多个取放元件。多个可形变元件设置在载板上。多个取放元件分别设置在多个可形变元件上。每一取放元件在远离对应的一个可形变元件的一侧上具有阵列排列的多个微凸起。可形变元件的形变能带动取放元件产生形变，以使接触微型发光二极管晶粒的微凸起数量减少。藉此，转置装置能容易地释放已提取的微型发光二极管晶粒。

技术领域

本发明涉及发光二极管显示器的制造设备，尤其涉及微型发光二极管晶粒的转置装置。

背景技术

近年来有机发光二极管显示面板(OLED)在移动通信设备市场上逐渐取代液晶显示面板，且缓慢地渗透大尺寸电视的市场。尽管有机发光二极管显示面板的色彩饱和度、反应速度与对比均较目前主流的液晶显示面板出色，但产品的使用寿命却无法与现行的主流显示器相抗衡。

在有机发光二极管显示面板的制造成本偏高的情况下，微型发光二极管显示器(Micro LED Display)逐渐吸引各科技大厂的投资目光。微型发光二极管显示器具有与有机发光二极管显示技术相当的光学表现，且具有低耗能及材料使用寿命长的优势。然而，已目前的技术而言，微型发光二极管显示器制造成本仍高于有机发光二极管显示器，主因是微型发光二极管显示器的制造技术采用晶粒转置的方式将制作好的微型发光二极管晶粒直接转移到驱动电路背板上，虽然这样的巨量转移技术在大尺寸的产品制造上有其发展优势，但目前相关制造技术与设备都有瓶颈待突破。

目前的晶粒转置技术所使用的提取方式包括利用静电力(Electrostaticforce)、电磁力(Electromagnetic force)、凡德瓦力(Van Der Waals force)、粘性材料及自组装(Self-Assembly)等方式。静电力的方式需要使用较高的外加电压，因此电弧(Arcing)与介电击穿(Dielectric Breakdown)的风险较高。自组装的转置技术虽然在快速晶粒转置上具有发展潜力，但需要对流体蒸发速率具有较高的精密控制技术，且在大面积制造上更有其困置难度，易造成晶粒转置失败。使用凡德瓦力的方式吸取晶粒，其晶粒的黏附力与脱附力取决于弹性体高分子印模接触晶粒的速率快慢，因此对于印模的作动必须有较精密的控制，转置的成功率并不高。

发明内容

本发明于提供一种用以转置微型发光二极管晶粒的转置装置。利用所述转置装置，转置微型发光二极管晶粒的成功率高。

根据本发明的实施例，提供一种转置装置，包括载版、多个可形变元件及多个取放元件。多个可形变元件设置在载板上。多个取放元件分别设置在所述多个可形变元件上。每一取放元件在远离对应的一个可形变元件的一侧上具有阵列排列的多个微凸起。

在根据本发明的另一实施例，所述转置装置的每一可形变元件适于受光、热或电的影响而形变，形变的可形变元件朝远离所述载板的方向凸起。

在根据本发明的另一实施例，所述转置装置的可形变元件包括第一材料层以及第二材料层。第一材料层配置于所述载板上且具有第一热膨胀系数，第二材料层配置于所述第一材料层上且具有第二热膨胀系数，且第二热膨胀系数大于第一热膨胀系数。

在根据本发明的另一实施例，所述转置装置的可形变元件包括至少两种以上具有不同电阻系数的金属所组成的合金。

在根据本发明的另一实施例，所述转置装置的可形变元件包括钛层及第一镍层。钛层配置于载板上。第一镍层配置于钛层上。

在根据本发明的另一实施例，所述转置装置的可形变元件还包括第二镍层，其中钛层夹设于第一镍层与第二镍层之间。

在根据本发明的另一实施例，所述的转置装置的可形变元件包括分子结构中具有偶氮苯基的高分子。

在根据本发明的另一实施例，所述的转置装置的多个微凸起包括彼此隔开的多个柱状体。