[发明专利]触控基板的制造方法、触控基板及显示装置

说明书

本发明公开了一种触控基板的制造方法、触控基板及显示装置，属于显示技术领域，该方法包括：在衬底基板上沉积第一导电薄膜；基于负性光刻胶，对沉积有第一导电薄膜的衬底基板进行拼接曝光工艺，以形成第一电极层；在形成有第一电极层的衬底基板上形成绝缘层；在形成有绝缘层的衬底基板上沉积第二导电薄膜；基于负性光刻胶，对沉积有第二导电薄膜的衬底基板进行拼接曝光工艺，以形成第二电极层，解决了拼接区域的宽度过小，易出现拼接mura现象，影响触控面板的显示效果的问题，达到了减少拼接mura现象，提高触控面板的显示效果，用于显示装置。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种触控基板的制造方法、触控基板及显示装置。

背景技术

为了满足大面积显示的需求，触控面板的尺寸越来越大，其中的触控基板的制作过程也越来越复杂，为了增大触控基板的尺寸，掩膜版的尺寸也需要随之增大，但是由于曝光机对掩膜版尺寸的限定，以及大尺寸掩膜版存在制造困难，成本较高，日常存放使用不便等问题，所以掩膜版的有效曝光区域的面积总是远小于触控基板的有效显示面积。在这种情况下，需要进行多次掩膜版的拼接曝光来完成大尺寸的触控基板的制造。

目前，在进行拼接曝光时，可以将大尺寸的触控基板划分成多个区域，采用掩膜版和挡板依次对各个区域进行曝光，进而得到大尺寸的触控基板。在该过程中会存在较多重复曝光区域。重复曝光区域位于两个相邻区域的拼接处。重复曝光区域包括拼接区域，该拼接区域为两个相邻区域中相邻的两个图案的重叠区域。

在制造触控基板时，目前采用正性光刻胶和对应的掩膜版进行多次拼接曝光来制造电极层。发明人在实现本发明的过程中，发现上述方式至少存在以下问题：在制造电极层时，拼接区域的宽度过小，易出现拼接姆拉(mura)现象，影响触控面板的显示效果。

发明内容

本发明实施例提供了一种触控基板的制造方法、触控基板及显示装置，可以解决相关技术中在制造电极层时，拼接区域的宽度过小，易出现拼接mura现象，影响触控面板的显示效果的问题。所述技术方案如下：

第一方面，提供了一种触控基板的制造方法，所述方法包括：

在衬底基板上沉积第一导电薄膜；

基于负性光刻胶，对沉积有所述第一导电薄膜的衬底基板进行拼接曝光工艺，以形成第一电极层；

在形成有所述第一电极层的衬底基板上形成绝缘层；

在形成有所述绝缘层的衬底基板上沉积第二导电薄膜；

基于负性光刻胶，对沉积有所述第二导电薄膜的衬底基板进行所述拼接曝光工艺，以形成第二电极层。

可选的，所述在形成有所述第一电极层的衬底基板上形成绝缘层，包括：

在形成有所述第一电极层的衬底基板上沉积正性光刻胶；

对沉积有所述正性光刻胶的衬底基板进行多次曝光工艺，以形成所述绝缘层。

可选的，在所述对沉积有所述第二导电薄膜的衬底基板进行所述拼接曝光工艺，以形成第二电极层之后，所述方法还包括：

在形成有所述第二电极层的衬底基板上沉积正性光刻胶；

对沉积有所述正性光刻胶的衬底基板进行所述多次曝光工艺，以形成保护层。

可选的，在进行所述拼接曝光工艺时，预留的重复曝光区域的宽度为3微米。

可选的，在进行所述拼接曝光工艺以形成所述第一电极层时所采用的掩膜版的掩膜图案为第一掩膜图案，在进行所述多次曝光工艺以形成所述绝缘层时所采用的掩膜版的掩膜图案为第二掩膜图案，所述第一掩膜图案和所述第二掩膜图案位于同一掩膜版。