[发明专利]超级结器件工艺方法在审
| 申请号： | 201810112564.2 | 申请日： | 2018-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN108400093A | 公开（公告）日： | 2018-08-14 |
| 发明（设计）人： | 赵龙杰 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/762;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 刻蚀 超级结器件 两次刻蚀 湿法刻蚀 线性电流 栅极沟槽 可接受 衬底 位错 | ||
【权利要求书】：
1.一种超级结器件的工艺方法，其特征在于：首先，在衬底上刻蚀出多个栅极沟槽及多个第一P柱沟槽，然后在第一P柱沟槽之间进行第二次刻蚀，形成第二P柱沟槽。
2.如权利要求1所述的超级结器件的工艺方法，其特征在于：所述第一P柱沟槽之间的间距为第一P柱沟槽宽度的至少3倍。
3.如权利要求1所述的超级结器件的工艺方法，其特征在于：在进行第二次刻蚀形成第二P柱沟槽时，硬掩膜氧化层的成膜温度不大于980摄氏度，牺牲氧化层的成膜温度也不大于980摄氏度。
4.如权利要求3所述的超级结器件的工艺方法，其特征在于：所述硬掩膜氧化层以及牺牲氧化层应选择合适的成膜温度以避免P柱中硼的扩散。
5.如权利要求1所述的超级结器件的工艺方法，其特征在于：通过两次分步刻蚀形成沟槽，改善外延填充效果，消除位错。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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