[发明专利]具有非c轴优选压电层的薄膜体声波谐振器在审
| 申请号： | 201810111237.5 | 申请日： | 2018-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN110120793A | 公开（公告）日： | 2019-08-13 |
| 发明（设计）人： | 赵俊武;林瑞钦 | 申请（专利权）人： | 武汉衍熙微器件有限公司 |
| 主分类号： | H03H9/02 | 分类号： | H03H9/02 |
| 代理公司： | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人： | 王丹 |
| 地址： | 430205 湖北省武汉市江夏区经济开发区*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 压电层 优选 薄膜体声波谐振器 第一电极 基底 第二电极 反射界面 寄生谐振 依次设置 侧向波 谐振器 共振 寄生 减小 模态 源区 包围 | ||
1.一种具有非c轴优选压电层的薄膜体声波谐振器，包括从下到上依次设置的基底、第一电极、压电层和第二电极，基底与第一电极之间设有反射界面；其中压电层的中间部分位于有源区，压电层包括c轴优选压电层，其特征在于：所述的压电层中还包括非c轴优选压电层，所述的c轴优选压电层的一部分或全部位于非c轴优选压电层的内侧；其中位于内侧的c轴优选压电层被非c轴优选压电层包围，且位于有源区内。
2.根据权利要求1所述的具有非c轴优选压电层的薄膜体声波谐振器，其特征在于：所述的非c轴优选压电层位于有源区内侧、有源区外侧或横跨有源区内外侧。
3.根据权利要求1所述的具有非c轴优选压电层的薄膜体声波谐振器，其特征在于：所述的反射界面为空气腔、背腔或布拉格反射镜。
4.根据权利要求1或2或3所述的具有非c轴优选压电层的薄膜体声波谐振器，其特征在于：所述的非c轴优选压电层采用非压电材料。
5.根据权利要求4所述的具有非c轴优选压电层的薄膜体声波谐振器，其特征在于：所述的非压电材料为SiO2。
6.根据权利要求1所述的具有非c轴优选压电层的薄膜体声波谐振器，其特征在于：所述的非c轴优选压电层采用与c轴优选压电层不同的压电材料，且结晶特性也不同；非c轴优选压电层的c轴取向为c轴倾斜、水平或垂直。
7.根据权利要求1所述的具有非c轴优选压电层的薄膜体声波谐振器，其特征在于：所述的非c轴优选压电层与c轴优选压电层为在同一个压电层具有相同压电材料、不同结晶特性的薄膜；非c轴优选压电层的c轴取向为c轴倾斜、水平或垂直；
本谐振器还包括用于控制所述非c轴优选压电层在生长时形成的结晶特性的晶向控制层。
8.根据权利要求7所述的具有非c轴优选压电层的薄膜体声波谐振器，其特征在于：所述的晶向控制层通过在与压电层接触的第一电极表面改变表面粗糙度而形成。
9.根据权利要求7所述的具有非c轴优选压电层的薄膜体声波谐振器，其特征在于：所述的晶向控制层设置在所述的第一电极与非c轴优选压电层之间，晶向控制层采用与第一电极晶格不匹配的金属。
10.根据权利要求7所述的具有非c轴优选压电层的薄膜体声波谐振器，其特征在于：所述的压电材料为AlN、ZnO 、PZT、BST中的一种。
11.根据权利要求1所述的具有非c轴优选压电层的薄膜体声波谐振器，其特征在于：所述的非c轴优选压电层的厚度与c轴优选压电层的厚度一致。
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