[发明专利]单相Ti3

权利要求书

1.一种单相Ti₃SiC₂三元金属陶瓷的制备方法，其特征在于以Ti粉、Si粉、C粉和Al粉为原料，步骤如下：

(1)将原料Ti粉、Si粉、C粉和Al粉按摩尔比M_Ti:M_Si:M_C:M_Al＝3:1.5:1.9:0.5称重配料，并混合均匀得混合料；

(2)将步骤(1)所得混合料加入模具，在10～24Mpa压力下形成生坯；

(3)将步骤(2)制备的生坯放入烧结炉中，在Ar气氛围或真空条件下升温至1400～1450℃保温烧结至少2h，烧结时间到达后随炉冷却至室温即得到单相Ti₃SiC₂三元金属陶瓷。

2.根据权利要求1所述单相Ti₃SiC₂三元金属陶瓷的制备方法，其特征在于所述步骤(3)中，在真空条件下升温烧结时，炉内的真空度1Pa，从室温至烧结温度的升温速度控制在8～12℃/min。

3.根据权利要求1所述单相Ti₃SiC₂三元金属陶瓷的制备方法，其特征在于所述步骤(3)中，在Ar气氛围升温烧结时，从室温至1000℃的升温速度控制在8～12℃/min，1000℃以上的升温速度控制在3～5℃/min。

4.根据权利要求1至3中任一权利要求所述单相Ti₃SiC₂三元金属陶瓷的制备方法，其特征在于原料Ti粉、Si粉、C粉和Al粉的纯度均大于99.9％，平均粒径均为200目。

5.根据权利要求1至3中任一权利要求所述单相Ti₃SiC₂三元金属陶瓷的制备方法，其特征在于所述步骤(3)中，保温烧结的温度为1420～1450℃。

6.根据权利要求4所述单相Ti₃SiC₂三元金属陶瓷的制备方法，其特征在于所述步骤(3)中，保温烧结的温度为1420～1450℃。