[发明专利]对相位分辨局部放电的评估有效
| 申请号: | 201810092533.5 | 申请日: | 2018-01-30 |
| 公开(公告)号: | CN108375718B | 公开(公告)日: | 2021-12-10 |
| 发明(设计)人: | J.T.帕姆;M.霍贝尔斯伯格 | 申请(专利权)人: | 通用电气公司 |
| 主分类号: | G01R31/12 | 分类号: | G01R31/12 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 徐予红;张金金 |
| 地址: | 美国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 相位 分辨 局部 放电 评估 | ||
1. 一种用于评估相位分辨局部放电PD的系统,所述系统包括:
测量装置,其被配置成检测电气装备的高电压绝缘中的至少一个局部放电PD过程且提供多个Phiqn阵列;以及
装备控制器,其以通信方式连接到所述测量装置,所述装备控制器被配置成:
使存在于所述多个Phiqn阵列中的至少一个Phiqn阵列中的至少一个Phiqn图案与几何形状相关联;
跟踪与多个局部放电PD图像中的所述几何形状相关联的参数;
基于与所述几何形状相关联的所述参数来确定与所述至少一个Phiqn图案相关联的放电强度;以及
基于所述放电强度来提供指示所述高电压绝缘的绝缘质量的信号。
2.根据权利要求1所述的系统,其中,被配置成使所述至少一个Phiqn图案与几何形状相关联的所述装备控制器进一步被配置成确定所述几何形状的类型、位置和尺寸以配合所述Phiqn图案。
3.根据权利要求2所述的系统,其中,被配置成跟踪所述几何形状的参数的所述装备控制器进一步被配置成跟踪所述几何形状的所述位置和所述尺寸的变化。
4.根据权利要求1所述的系统,其中,所述几何形状与所述局部放电PD过程的类型相关联。
5.根据权利要求1所述的系统,其中,被配置成使至少一个Phiqn图案与几何形状相关联的所述装备控制器进一步被配置成从包括以下中的至少一个的列表选择所述几何形状:三角形、水平矩形、竖直矩形和椭圆形。
6.根据权利要求1所述的系统,其中,被配置成确定所述放电强度的所述装备控制器进一步被配置成基于位于与所述至少一个Phiqn图案相关联的所述几何形状内的高频脉冲而确定所述放电强度。
7.根据权利要求1所述的系统,其中,被配置成使所述至少一个Phiqn图案与所述几何形状相关联的所述装备控制器进一步被配置成利用学习算法以使所述至少一个Phiqn图案与所述几何形状相关联,其中通过历史Phiqn阵列和所述历史Phiqn阵列中所识别的先前Phiqn图案而训练所述学习算法。
8.根据权利要求1所述的系统,其中,所述装备控制器进一步被配置成基于所述放电强度而确定所述高电压绝缘的劣化速率。
9. 根据权利要求1所述的系统,其中,被配置成提供指示所述高电压绝缘的情况的所述信号的所述装备控制器进一步被配置成:
使所述几何形状的参数与所述电气装备的操作参数的变化或环境条件的变化中的至少一个相关;以及
基于所述相关而修改指示所述高电压绝缘的所述绝缘质量的所述信号。
10.根据权利要求9所述的系统,其中,所述装备控制器进一步被配置成:
基于所述电气装备的操作参数或环境条件中的至少一个来确定所述放电强度的阈值;
确定所述放电强度超出所述阈值;以及
基于所述确定,选择性地提供关于所述绝缘质量的警示。
11.一种用于评估相位分辨局部放电PD的方法,所述方法包括:
通过测量装置提供一个或多个Phiqn阵列,其中所述测量装置被配置成检测包括高电压绝缘的电气装备中的至少一个局部放电PD过程;
通过以通信方式连接到所述测量装置的装备控制器来使存在于所述一个或多个Phiqn阵列中的至少一个Phiqn图案与几何形状相关联;
通过所述装备控制器来跟踪与所述一个或多个Phiqn阵列中的所述几何形状相关联的参数;
通过所述装备控制器且基于所述几何形状的所述参数来确定与所述至少一个Phiqn图案相关联的放电强度;以及
通过所述装备控制器且基于所述放电强度来提供指示所述高电压绝缘的绝缘质量的信号。
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