[发明专利]一种多芯片共晶石墨工装及装配方法

说明书

一种多芯片共晶石墨工装及装配方法，其包括盖板、连接至盖板的底板、连接组件和定位组件，盖板和底板通过连接组件连接，底板的顶面向内凹设有定位模块槽且定位模块槽的底部为槽面，槽面向内凹设形成载板槽，定位组件包括定位模块和压块，定位模块设置有连通顶面和底面的芯片孔，定位模块安装于定位模块槽内，芯片孔与载板槽相连通且形成放置芯片的空间，压块将空间的顶部封口；底板和盖板相对设置，底板和盖板可通过相互挤压的方式组合成为整体，定位组件连接至底板，连接组件位于底板和盖板之间，底板和盖板通过连接组件连接；该工装能够精确定位芯片位置，一次性完成多芯片的装载共晶操作，共晶时石墨导热速度快，共晶焊接受热均匀。

技术领域

本发明涉及电子组装领域,具体而言,涉及一种多芯片共晶石墨工装及装配方法。

背景技术

共晶是指在相对较低的温度下共晶焊料发生共晶物熔合的现象，共晶合金直接从液态变到固态，而不经过塑性阶段，是一个液态同时生成两个固态的平衡反应。

金锡共晶，又称金锡合金，是通过电解作用将镀液中的亚金和亚锡离子按照质量分数金80％，锡20％的含量，沉积在订单制定的位置上。金锡共晶含有AuSn和Au5Sn两相的低温共晶贵金属焊料，其厚度依据沉积时间，可控设计，且可以在300℃下与金层无需助焊剂，直接焊接。焊接温度仅比合金的熔点高出20～30℃，在钎焊过程中，基于合金的共晶成分，很小的过热度就可以使合金熔化并浸润；另外，合金的凝固过程进行得也很快。因此，金锡合金的使用能够大大缩短整个钎焊过程周期。金锡合金的钎焊温度范围适用于对稳定性要求很高的元器件组装。

现有技术的共晶焊接工装，还未有能够将芯片精确定位且一次进行多芯片共晶焊接操作的工装。

发明内容

本发明的目的在于提供一种多芯片共晶石墨工装及装配方法，其能够精确定位芯片位置，一次性完成多芯片的装载共晶操作。

本发明的实施例是这样实现的：

一种多芯片共晶石墨工装及装配方法，多芯片共晶石墨工装包括盖板、连接至盖板的底板、连接组件和定位组件，盖板和底板通过连接组件连接，底板的顶面向内凹设有定位模块槽且定位模块槽的底部为槽面，槽面向内凹设形成载板槽，定位组件包括定位模块和压块，定位模块设置有连通顶面和底面的芯片孔，定位模块安装于定位模块槽内，芯片孔与载板槽相连通且形成放置芯片的空间，压块将空间的顶部封口；底板和盖板相对设置，底板和盖板之间具有间隔，底板的顶面与盖板的底面平行，底板和盖板可通过相互挤压的方式组合成为整体，定位组件连接至底板，连接组件位于底板和盖板之间，底板和盖板通过连接组件连接。

在本发明较佳的实施例中，上述底板设置有多个定位模块槽，相邻定位模块槽之间具有间隔。

在本发明较佳的实施例中，上述底板顶部的定位模块槽、载板槽的区域使用石墨件或底板采用石墨件。

在本发明较佳的实施例中，上述压块的底部设置有边框，边框位于压块的底部边缘，边框围绕压块底部形成底部空间，边框卡入芯片孔的顶部。

在本发明较佳的实施例中，上述压块设置有至少一对用于取放的夹持孔，夹持孔将压块的顶底两面连通。

在本发明较佳的实施例中，上述连接组件包括定位柱，盖板设置有连通顶底两面的第一定位柱孔，定位柱穿过第一定位孔连接盖板，底板的顶面向内凹设形成第二定位柱孔，第二定位柱孔与第一定位柱孔相对，定位柱的一端连接至第二定位柱孔内。

在本发明较佳的实施例中，上述多芯片共晶石墨工装及装配方法还包括重针，盖板设置有连通顶底两面的重针孔，重针孔的位置与定位模块槽相对，重针的一端通过重针孔延伸至定位模块槽内且将压块的顶部抵压。

在本发明较佳的实施例中，上述重针孔包括重针槽和连通孔，盖板的顶部向内凹设有重针槽，重针槽的底部为重针槽面，连通孔的两端分别连接至重针槽面和盖板的底面。