[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，

具有将含有铜的引线接合于设置在半导体基板的表面上的电极焊盘的工序，

所述电极焊盘在其表层部具有比所述引线硬的硬质金属层，

在所述硬质金属层的表面设有凹部，

接合前的所述引线具有线状部和球状部，所述球状部配置在所述线状部的前端且所述球状部的直径大于所述线状部的直径，

在进行接合的所述工序中，将所述球状部接合于所述凹部内。

2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，

所述凹部具有底面和侧面，

在进行接合的所述工序中，使所述球状部与所述底面及所述侧面接触。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其中，

所述凹部的宽度小于接合前的所述球状部的直径。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，

所述凹部的容积大于接合前的所述球状部的体积的一半。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，

所述电极焊盘具有配置在所述硬质金属层与所述半导体基板之间且比所述引线软的软质金属层。

6.一种半导体装置，具有：

半导体基板；

电极焊盘，设于所述半导体基板的表面；及

引线，与所述电极焊盘连接且含有铜，

所述电极焊盘在其表层部具有比所述引线硬的硬质金属层，

在所述硬质金属层的表面设有凹部，

所述引线连接于所述凹部内。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，

所述凹部具有底面和侧面，

所述引线与所述侧面及所述底面接触。

8.根据权利要求6或7所述的半导体装置，其中，

所述电极焊盘具有配置在所述硬质金属层与所述半导体基板之间且比所述引线软的软质金属层。