[发明专利]一种增大光电转换效益的太阳能电池副栅极及其制作方法

说明书

本发明公开了一种增大光电转换效益的太阳能电池副栅极及其制作方法，所述的副栅极设置在硅片正表面上的金属电极层中，所述的副栅极的顶端设有与副栅极同方向延伸的镜面体，所述的镜面体为对称结构，其横切面是等腰三角形，包括两侧的倾斜的镜平面和与副栅极的顶面重合的底面。所述的镜面体通过在副栅极的顶端套印一层高纯度的银，并用镭射抛光法在其顶面形成与副栅极的顶面具有一定夹角的镜平面，该镜平面能够对入射的太阳光进行反射，改变太阳光在电池中的传播光路，使得照射到副栅极上的太阳光经反射照射到硅片的受光区域，以提高太阳光的利用率和太阳能电池的光电转换效率。

技术领域

本发明属于太阳能电池领域，具体涉及一种增大光电转换效益的太阳能电池副栅极及其制作方法。

背景技术

太阳能电池制作过程中，位于硅片表面的金属化电极的为不透明的材料，会对遮挡电极下方的太阳入射光，在栅极对应的硅片的下方形成了遮光区。为提升电池转换效率，细栅线印刷已成为光伏技术发展方向。现有技术主要通过细化栅极来减少遮光损失，但是其中的副栅线遮光面积依旧占总遮光面积的45％到55％。因此本发明设计了一种增大光电转换效益的太阳能电池副栅极及其制作方法，以提高入射到硅片上的太阳光的利用率，从而提高太阳能电池的光电转化率。

发明内容

针对上述问题，本发明提出一种增大光电转换效益的太阳能电池副栅极及其制作方法。

实现上述技术目的，达到上述技术效果，本发明通过以下技术方案实现：

一种增大光电转换效益的太阳能电池副栅极，所述的副栅极设置在硅片正表面上的金属电极层中，所述的硅片上依次设置了用于封装硅片的EVA层和玻璃层，所述的副栅极的顶端设有与副栅极同方向延伸的镜面体，所述的镜面体为对称结构，其横切面是等腰三角形，包括两侧的倾斜的镜平面和与副栅极的顶面重合的底面。

作为本发明的进一步改进，所述的镜平面与副栅极顶面之间的夹角大于0°或者小于45°。

作为本发明的进一步改进，所述的夹角优选为30°。

作为本发明的进一步改进，所述的副栅极的宽度为25-45um。

作为本发明的进一步改进，所述的镜面体的顶端到硅片的高度为15-25um。

作为本发明的进一步改进，所述副栅极的含银量为95-99％，所述镜面体的含银量大于99.99％。

根据以上所述的一种增大光电转换效益的太阳能电池副栅极的制备方法，包括：

在电池的正面用银浆A印刷副栅极，烘干后在副栅极的顶端用银浆B套印镜面体的预制体，所示的镜面体预制体的顶端为水平面，并进行烘干烧结；

采用镭射抛光法对镜面体预制体的顶端进行镜面抛光，形成两侧为倾斜对称的镜平面。

作为本发明的进一步改进，所述的镭射抛光法包括冷抛法、三维自持抛光法。

作为本发明的进一步改进，对预制体进行镜面抛光时，所用的激光器发射的激光与垂直平面之间的角度和所形成的镜平面与副栅极之间的夹角相等。

本发明的有益效果：本发明采用通过在副栅极的顶端套印一层高纯度的银，并用镭射抛光法形成顶面对称的具有反射镜平面的镜面体。该镜平面能够对入射的太阳光进行反射，改变太阳光在电池中的传播光路，使得照射到副栅极上的太阳光经反射照射到硅片的受光区域，以提高太阳光的利用率和太阳能电池的光电转换效率。

附图说明

图1为现有技术中的太阳能电池片的结构示意图及太阳光照射到副栅极区的光路图；

图2为本发明中的太阳能电池片的结构示意图及太阳光照射到副栅极区的光路图；

图3为本发明中的副栅极的结构示意图；