[发明专利]一种CSP LED封装方法

权利要求书

1.一种CSP LED封装方法，其特征在于：包括倒装覆晶芯片(4)、荧光膜(3)和环氧模塑料白胶(7)，并按照以下步骤进行：

步骤1、准备荧光膜(3)或透明膜，所述荧光膜(3)具体的是将硅胶与多种荧光粉混合组成；所述透明膜具体的是硅胶，

步骤2、提供夹具载板(1)，

步骤3、在夹具载板(1)上设置一层透明粘性膜(2)，将荧光膜(3)或透明膜与透明粘性膜(2)贴合，

步骤4、将倒装覆晶芯片(4)按列阵固定于荧光膜(3)或透明膜区域，

步骤5、使用环氧模塑料白胶(7)对相邻的倒装覆晶芯片(4)之间的间隙进行涂覆，

步骤6、对涂覆完白胶的产品进行烘烤，

步骤7、将烘烤后完成的产品整片进行第二次切割，以切割成单颗粒的LED产品，

步骤8、对LED产品进行倒膜，将LED产品倒膜至硅胶保护膜上，以撕去透明粘性膜(2)。

2.如权利要求1所述的一种CSP LED封装方法，其特征在于：所述步骤4中当放置完倒装覆晶芯片(4)后对夹具载板(1)进行预热，所述步骤4和步骤5之间还包括步骤：

步骤4.1、然后沿相邻的倒装覆晶芯片(4)之间的间隙，按单颗LED产品的规格进行第一次切割，使得透明粘性膜(2)以及荧光膜(3)或透明膜被切断，

步骤4.2、通过图像识别技术将齐纳二极管(6)固定于单颗倒装覆晶芯片(4)旁边，具体的是，对倒装覆晶芯片(4)进行图像识别进行定位，根据倒装覆晶芯片(4)的位置放置齐纳二极管(6)；

所述步骤5和步骤6之间还包括步骤：

步骤5.1、使用环氧模塑料白胶(7)对倒装覆晶芯片(4)和齐纳二极管(6)之间的间隙使用进行涂覆。

3.如权利要求2所述的一种CSP LED封装方法，其特征在于：所述步骤4.2和步骤5之间还包括步骤：

步骤4.3将第一次切割后的带有齐纳二极管(6)的倒装覆晶芯片(4)进行等离子清洗；

所述步骤7和步骤8之间还包括步骤：

步骤7.1、对第二次切割完成后的LED产品剥离毛边。

4.如权利要求2所述的一种CSP LED封装方法，其特征在于：所述齐纳二极管(6)靠近于所述倒装覆晶芯片(4)的一侧短边，所述齐纳二极管(6)距离倒装覆晶芯片(4)的间距为小于0.1μm。

5.如权利要求2所述的一种CSP LED封装方法，其特征在于：所述步骤5和步骤5.1涂覆环氧膜塑料白胶时夹具载板(1)保持加热状态至涂覆完成。

6.如权利要求1所述的一种CSP LED封装方法，其特征在于：所述步骤5涂覆环氧膜塑料白胶时夹具载板(1)保持加热状态至涂覆完成；

所述步骤4和步骤5之间还包括步骤：

步骤4.3.1、将切割好的倒装覆晶芯片(4)进行等离子清洗。

7.如权利要求1所述的一种CSP LED封装方法，其特征在于：所述步骤7中的第二次切割方式具体的是，采用下压式切割，其中下刀速度为2.4-3.5sec/次。

8.如权利要求7所述的一种CSP LED封装方法，其特征在于：所述下压式切割具体的是，采用110mm宽的钨钢刀进行下压切割。

9.如权利要求1所述的一种CSP LED封装方法，其特征在于：所述步骤1中通过控制荧光膜(3)色坐标的方法为为控制荧光膜(3)的光学厚度和荧光粉的配比。