[发明专利]一种具有单层结构的透明导电薄膜及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种具有单层结构的透明导电薄膜的制备方法，其特征在于，包括：将清洗后的基底装入真空磁控溅射设备的真空腔室中，当腔室的真空度为1 ×10^-4~7×10^-4 Pa时，充入氩气，并控制总气压为0.16 Pa，调整靶材的溅射功率为10~60 W，之后开启样品挡板，采用磁控溅射法对基底的表面进行沉积，得到厚度为3~12 nm的透明导电薄膜；

所述透明导电薄膜由银和金属氧化物组成；所述金属氧化物选自CdO、ZnO、In₂O₃、SnO₂、MoO₃、ZrO₂、PdO、TiO₂和HfO₂中的至少一种；

所述透明导电薄膜中金属氧化物的原子百分比为1~20%。

2.根据权利要求1所述的具有单层结构的透明导电薄膜的制备方法，其特征在于，所述透明导电薄膜由Ag和CdO组成。

3.根据权利要求1所述的具有单层结构的透明导电薄膜的制备方法，其特征在于，所述基底为玻璃、PET、PEF或PC。

4.根据权利要求1所述的具有单层结构的透明导电薄膜的制备方法，其特征在于，所述磁控溅射法选用直接溅射合金靶材或共溅射银和金属氧化物靶材。

5.根据权利要求1所述的具有单层结构的透明导电薄膜的制备方法，其特征在于，所述靶材的溅射时间为10~90s。

6.一种具有单层结构的透明导电薄膜，其特征在于，由权利要求1~5任一项所述的方法制备得到。

7.一种根据权利要求6所述的具有单层结构的透明导电薄膜在光电器件中的应用。