[发明专利]高稳定性钙钛矿薄膜及其制备方法有效
| 申请号: | 201810039344.1 | 申请日: | 2018-01-16 |
| 公开(公告)号: | CN108470832B | 公开(公告)日: | 2021-12-21 |
| 发明(设计)人: | 陈炜;朱红梅 | 申请(专利权)人: | 华中科技大学鄂州工业技术研究院;华中科技大学 |
| 主分类号: | H01L51/42 | 分类号: | H01L51/42;H01L51/46;H01L51/48 |
| 代理公司: | 武汉智嘉联合知识产权代理事务所(普通合伙) 42231 | 代理人: | 黄君军 |
| 地址: | 436044 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 稳定性 钙钛矿 薄膜 及其 制备 方法 | ||
1.一种高稳定性钙钛矿薄膜,其特征在于,包括钙钛矿吸光层及由苯甲酰氰溶液修饰形成并包覆于所述钙钛矿吸光层外表面的疏水界面层。
2.根据权利要求1所述的高稳定性钙钛矿薄膜,其特征在于,所述苯甲酰氰溶液为苯甲酰氰的乙醚、氯苯及甲苯中至少一种的稀释液。
3.根据权利要求2所述的高稳定性钙钛矿薄膜,其特征在于,所述稀释液的稀释倍数为0-108倍。
4.一种高稳定性钙钛矿薄膜的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
(1)将苯甲酰氰配制成表面修饰溶液;
(2)将钙钛矿薄膜浸泡于表面修饰溶液中30~1800秒,并在70~200℃下退火处理烘干,即得高稳定性钙钛矿薄膜。
5.根据权利要求4所述的高稳定性钙钛矿薄膜的制备方法,其特征在于,所述表面修饰溶液为苯甲酰氰的乙醚、氯苯及甲苯中至少一种的稀释液,且其稀释倍数为0-108倍。
6.根据权利要求4或5所述的高稳定性钙钛矿薄膜的制备方法,其特征在于,所述钙钛矿薄膜的分子通式为APbX3,其中,A包括CH3NH3+、CH(NH2)2+、Cs+中的至少一种阳离子,X包括I-、Br-、Cl-中的至少一种阴离子。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华中科技大学鄂州工业技术研究院;华中科技大学,未经华中科技大学鄂州工业技术研究院;华中科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810039344.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择





