[发明专利]一种具有相分离结构稀土共晶荧光材料及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 201810022989.4 | 申请日： | 2018-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN108148592A | 公开（公告）日： | 2018-06-12 |
| 发明（设计）人： | 钟玖平;刘芳 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | C09K11/80 | 分类号： | C09K11/80 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 陈卫 |
| 地址： | 510275 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 荧光材料 共晶 稀土 铱金 坩埚 制备方法和应用 相分离结构 放入 下拉 预烧 籽晶 高能射线探测 激光显示技术 成像分辨率 晶体生长炉 稀土氧化物 定向凝固 高能射线 还原气氛 激光显示 降温冷却 预先安装 原料熔化 中频感应 生长 高温炉 氧化铝 氧化铈 氧化镓 称取 可用 熔体 小孔 灼烧 制备 成像 冷却 探测 | ||
1.一种具有相分离结构稀土共晶荧光材料，其特征在于，所述稀土共晶荧光材料的化学式为RE3-xCexAl5-yGayO12/Al2O3，其中，RE为稀土Y、Gd、Lu中的一种或几种，x的取值范围为0.0005＜x＜0.08，y的取值范围为0＜y＜5；所述稀土共晶荧光材料的制备方法如下：
S1：称取氧化铝、氧化镓、氧化铈及稀土氧化物并混合均匀，然后放入高温炉中于还原气氛下灼烧，冷却后粉碎得预烧原料；
S2：将预烧原料放入底部开有小孔的铱金坩埚中，铱金坩埚被置于微下拉晶体生长炉中，通过中频感应升温使原料熔化；
S3：用预先安装好的籽晶接触铱金坩埚底部，通过微下拉籽晶定向凝固熔体生长共晶，生长完后降温冷却即得所述荧光材料；
其中，共晶微下拉生长速率为0.1～8毫米/分钟；所述稀土氧化物为氧化钇、氧化钆或氧化镥中的一种或几种。
2.根据权利要求1所述具有相分离结构稀土共晶荧光材料，其特征在于，所述x的取值范围为0.005＜x＜0.06，所述y的取值范围为0＜y＜1。
3.根据权利要求1所述具有相分离结构稀土共晶荧光材料，其特征在于，所述x为0.03，所述RE为稀土镥。
4.根据权利要求1所述具有相分离结构稀土共晶荧光材料，其特征在于，共晶微下拉生长速率为0.3～5毫米/分钟。
5.根据权利要求4所述具有相分离结构稀土共晶荧光材料，其特征在于，共晶微下拉生长速率为1.5毫米/分钟。
6.根据权利要求1所述具有相分离结构稀土共晶荧光材料，其特征在于，所述还原气氛的气体为CO、H2、N2或Ar中的一种或几种。
7. 根据权利要求1所述具有相分离结构稀土共晶荧光材料，其特征在于，所述氧化铝、氧化镓氧化铈及稀土氧化物的纯度≥ 99.995 %。
8.权利要求1～7任一所述具有相分离结构稀土共晶荧光材料在高能射线探测成像领域或激光显示技术领域中的应用。
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