[发明专利]一种大厚度碳化硅抗弹陶瓷及其制备方法在审
| 申请号： | 201810009281.5 | 申请日： | 2018-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN108164265A | 公开（公告）日： | 2018-06-15 |
| 发明（设计）人： | 张振昊;孙海滨;谭砂砾;许伟;张玉军 | 申请（专利权）人： | 莱芜亚赛陶瓷技术有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/565 | 分类号： | C04B35/565;C04B35/622;C04B35/645;C04B35/634;B28B3/00 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 杨磊 |
| 地址： | 271100 山东省莱*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 碳化硅 陶瓷 制备 热压烧结 预压成型 等静压 碳化硼 添加量 树脂 质量百分比 工艺制备 性能差异 结合剂 增强相 生坯 芯部 | ||
1.一种大厚度碳化硅抗弹陶瓷，其特征在于，该陶瓷以碳化硅为基体，碳化硼为增强相，树脂为结合剂，以原料总质量百分比计，碳化硅的添加量为60-85wt.％，碳化硼的添加量为5～25wt.％，树脂5-20wt.％，经等静压预压成型和热压烧结，得到大厚度碳化硅抗弹陶瓷。
2.根据权利要求1所述的大厚度碳化硅抗弹陶瓷，其特征在于，所述的大厚度碳化硅抗弹陶瓷包括如下质量百分比的原料组分：碳化硅65-85wt.％，碳化硼10-25wt.％，树脂5-15wt.％，各组分质量百分之和为100％。
3.根据权利要求1所述的大厚度碳化硅抗弹陶瓷，其特征在于，所述的碳化硅为平均粒径0.5-5μm的碳化硅粉。
4.根据权利要求1所述的大厚度碳化硅抗弹陶瓷，其特征在于，所述的碳化硼为平均粒径0.5-5μm的碳化硼粉。
5.根据权利要求1所述的大厚度碳化硅抗弹陶瓷，其特征在于，所述的大厚度碳化硅抗弹陶瓷的厚度为40-60mm。
6.权利要求1所述的大厚度碳化硅抗弹陶瓷的制备方法，包括步骤如下：
(1)原料混合
按比例称取碳化硅、碳化硼和树脂，常温下混合15-45分钟，使各组分均匀混合，得混合粉末；
(2)烘干
将步骤(1)制得的混合粉末于温度60-150℃真空保温12-36小时，使混合粉末脱水固化，使各组分再次混合；
(3)破碎混合
将步骤(2)烘干后的样品，粉碎搅拌混合均匀，使各组分再次混合，制得粉碎后物料；
(4)等静压预压成型
将步骤(3)制备的粉体利用等静压，在20MPa压力下预压成抗弹板坯体；然后利用等静压压制坯体，压力为200-260MPa，保压时间为2-10分钟；
(5)脱脂
将步骤(4)制备的抗弹板生坯进行脱脂处理，脱脂温度为400-800℃，保温时间为1-6小时；以保证坯体不产生缺陷或应力；
(6)烧结
将步骤(5)制得的坯体置于热压烧结炉中，在1800-2200℃下保温1-4小时，加压压力为10-30MPa，制得大厚度的碳化硅抗弹陶瓷。
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)中所述的烘干温度为80-120℃，保温时间为16-24小时。
8.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，步骤(4)中所述的等静压压力为220-240MPa，保压时间为下4-8分钟。
9.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，步骤(5)中所述的脱脂温度为500-700℃，升温速率为2-10℃/min，保温时间为下2-4小时。
10.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，步骤(6)中所述的热压烧结温度为1900-2200℃，加压压力为15-20MPa，保温时间为下2-3小时。
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