[发明专利]一种纳米通孔阵列聚合物模板及其制备方法在审
| 申请号: | 201810006431.7 | 申请日: | 2018-01-04 |
| 公开(公告)号: | CN108089398A | 公开(公告)日: | 2018-05-29 |
| 发明(设计)人: | 杨铎;吴蒙华;韩飞;王珍 | 申请(专利权)人: | 大连大学 |
| 主分类号: | G03F7/00 | 分类号: | G03F7/00;B81C1/00 |
| 代理公司: | 大连至诚专利代理事务所(特殊普通合伙) 21242 | 代理人: | 杨威;涂文诗 |
| 地址: | 116600 辽宁省大连市经济*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 聚合物模板 光刻胶层 通孔阵列 制备 聚合物基体层 纳米压印模具 基底 纳米压印系统 高深宽比 抗粘层 模具层 上表面 传感 叠合 压印 沉积 去除 模具 制作 应用 | ||
1.一种纳米通孔阵列聚合物模板的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
步骤S1:在基底上形成一层光刻胶层;
步骤S2:在光刻胶层上方形成聚合物基体层;
步骤S3:制作纳米压印模具,在模具表面形成与聚合物基体上的纳米通孔阵列形状、尺寸及间距一致的纳米阵列柱;
步骤S4:在纳米压印模具的具有纳米阵列柱侧沉积一层抗粘层;
步骤S5:将沉积抗粘层后的模具的纳米阵列柱侧与聚合物基体层的上表面叠合,放入到纳米压印系统中进行压印至光刻胶层;
步骤S6:去除模具层;
步骤S7:去除基底;
步骤S8:去除光刻胶层,得到具有纳米通孔阵列的聚合物模板。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述聚合物基体的材质为聚甲基丙烯酸甲酯、或环烯烃共聚物、或可降解聚合物。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述抗粘层材料为全氟四氢基硅烷;所述纳米压印模具的材质为硅或镍;所述基底的材质为硅或二氧化硅或石英玻璃。
4.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述步骤S1和S2中,采用旋涂或涂覆的方法形成光刻胶层和聚合物模板层。
5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,采用掩模干法或湿法刻蚀工艺制作所述纳米压印模具。
6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,采用化学气相沉积自组装单分子薄膜的方法制备所述抗粘层。
7.一种纳米通孔阵列聚合物模板,其特征在于,在聚合物模板上形成有至少一个纳米通孔。
8.根据权利要求7所述的纳米通孔阵列聚合物模板,其特征在于,所述聚合物模板为聚甲基丙烯酸甲酯、或环烯烃共聚物、或可降解聚合物制得的具有一定厚度的模板。
9.根据权利要求7所述的纳米通孔阵列聚合物模板,其特征在于,所述纳米通孔为等直径通孔、或圆台形通孔、或异形通孔。
10.根据权利要求9所述的纳米通孔阵列聚合物模板,其特征在于,所述圆台形通孔的顶面孔直径为200nm~500nm,底面孔直径为1um~2um;所述等直径通孔的孔直径为200nm~2um。
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