[发明专利]用于烘烤模块的合格性测试方法和系统

权利要求书

1.一种用于烘烤模块的合格性测试方法，包括：

通过多个温度测量设备来测量晶片在烘烤处理的温度斜坡上升时所经历的多个累积热能量，其中，所述烘烤处理由烘烤模块执行以加热所述晶片，并且其中，每个温度测量设备被配置为测量所述晶片的不同区域处的相应累积热能量，其中，测量所述相应累积热能量包括：

分别在多个时间点测量所述晶片的多个温度；以及

计算所述多个温度之和，作为所述相应累积热能量；

计算所述多个累积热能量的标准差；以及

基于所计算的标准差，来确定所述烘烤模块是否应该被认定为合格而用在实际的半导体制造中。

2.如权利要求1所述的方法，其中，每个温度测量设备包括放置在所述晶片上的一个或多个热传感器。

3.如权利要求1所述的方法，其中，计算所述标准差包括计算三西格玛值。

4.如权利要求1所述的方法，还包括：

响应于确定所述烘烤模块不应该被认定为合格，修改所述烘烤模块的一个或多个硬件组件；以及

在修改所述烘烤模块的所述一个或多个硬件组件之后，重复所述测量和所述确定。

5.如权利要求4所述的方法，其中：

所述烘烤模块包括设置在所述晶片和加热板之间的多个间隙销；并且

所述修改包括调整所述间隙销中的一个或多个间隙销的高度。

6.如权利要求4所述的方法，其中：

所述烘烤模块包括设置在加热板中的多个真空孔，所述真空孔分别被配置为产生局部真空以固定所述晶片的位置；并且

所述修改包括调整由所述真空孔中的一个或多个真空孔产生的所述局部真空。

7.如权利要求4所述的方法，其中：

所述烘烤模块包括被配置为从所述烘烤模块移除污染物的排气组件；并且

所述修改包括调整所述排气组件的排气速度。

8.如权利要求1所述的方法，还包括：

在确定所述烘烤模块应该被认定为合格而用在实际的半导体制造中之后，使用所述烘烤模块来执行曝光后烘烤PEB处理。

9.一种用于烘烤模块的合格性测试系统，包括：

烘烤模块，被配置为加热测试晶片；

多个热传感器，被实现在所述测试晶片的不同区域上，所述多个热传感器被配置为测量与所述烘烤模块相关联的多个温度数据；以及

控制器，被配置为执行包括以下各项的操作：

在一段时间内斜坡升高所述烘烤模块的温度；

基于在所述烘烤模块的温度斜坡上升时所测量的多个温度数据，确定所述烘烤模块在所述一段时间内传送的多个累积热量；

计算所述多个累积热量的标准差；以及

基于所计算的标准差，选择性地将所述烘烤模块认定为合格而可用于实际的半导体制造。

10.如权利要求9所述的系统，其中，所述烘烤模块包括具有多个加热通道的板，并且其中，所述加热通道中的每个加热通道与所述热传感器中的一个或多个热传感器相关联。

11.如权利要求9所述的系统，其中，所述烘烤模块是曝光后烘烤PEB工具的一部分。