[发明专利]半导体激光装置

权利要求书

1.一种半导体激光装置，其具有：

半导体基板；

第一导电型包层，其设置于所述半导体基板之上；

有源层，其设置于所述第一导电型包层之上；以及

第二导电型包层，其设置于所述有源层之上，

该半导体激光装置具有彼此朝向相反方向的前端面以及后端面，

所述前端面以及所述后端面分别包含所述半导体基板的端部、所述第一导电型包层的端部、所述有源层的端部以及所述第二导电型包层的端部，

所述前端面以及所述后端面的至少一方包含：

谐振器端面部，其包含所述有源层的端部；以及

凸出部，其是所述半导体基板与所述谐振器端面部相比向谐振器长度方向凸出预先确定的规定凸出量，

所述凸出部的上表面形成台阶底面部，

所述谐振器端面部与所述台阶底面部连接而形成角部，

将从表示所述有源层的厚度中央位置的假想线即有源层厚度中央轴至所述台阶底面部的最短距离作为底面部深度，

所述底面部深度与预先确定的特定深度相同或者比该特定深度深，

所述特定深度是从所述有源层厚度中央轴至在所述有源层导波的导波光所具有的垂直横模的光强度分布中成为峰值强度值的1/100的位置为止的最短距离，

在将所述规定凸出量设为X、将所述底面部深度设为Y、将从所述谐振器端面部射出的激光的扩散角的半角设为β的情况下，以满足βarctan(Y/X)的方式确定所述规定凸出量以及所述底面部深度，

β的大小是0ββ1，

β1是在分别将β以及Y作为轴的曲线图中与第一特性线和第二特性线的交点对应的角度，

所述第一特性线在所述曲线图中确定了用于使从所述谐振器端面部输出的激光器放射光不被所述凸出部遮挡的条件，

所述第二特性线在所述曲线图中确定了用于将所述底面部深度Y设定得比所述特定深度深的条件，

将所述底面部深度Y设定为大于或等于所述第二特性线的值的大小。

2.一种半导体激光装置，其具有：

半导体基板；

第一导电型包层，其设置于所述半导体基板之上；

有源层，其设置于所述第一导电型包层之上；以及

第二导电型包层，其设置于所述有源层之上，

该半导体激光装置具有彼此朝向相反方向的前端面以及后端面，

所述前端面以及所述后端面分别包含所述半导体基板的端部、所述第一导电型包层的端部、所述有源层的端部以及所述第二导电型包层的端部，

所述后端面包含：

谐振器端面部，其包含所述有源层的端部；以及

凸出部，其是所述半导体基板与所述谐振器端面部相比向谐振器长度方向凸出预先确定的规定凸出量，

所述凸出部的上表面形成台阶底面部，

在所述谐振器端面部设置用于由所述谐振器端面部对在所述有源层导波的光进行反射的反射涂膜，

所述谐振器端面部与所述台阶底面部连接而形成角部，

将从表示所述有源层的厚度中央位置的假想线即有源层厚度中央轴至所述台阶底面部的最短距离作为底面部深度，

所述底面部深度与预先确定的特定深度相同或者比该特定深度深，

所述特定深度是从所述有源层厚度中央轴至在所述有源层导波的导波光所具有的垂直横模的光强度分布中成为峰值强度值的1/100的位置为止的最短距离，

在将所述规定凸出量设为X、将所述底面部深度设为Y、将未设置所述反射涂膜时从所述谐振器端面部射出的激光的扩散角的半角设为β的情况下，

β的大小是β1β，

β1是在分别将β以及Y作为轴的曲线图中与第一特性线和第二特性线的交点对应的角度，

所述第一特性线在所述曲线图中确定了用于在未设置所述反射涂膜时使从所述谐振器端面部输出的激光器放射光不被所述凸出部遮挡的条件，

所述第二特性线在所述曲线图中确定了用于将所述底面部深度Y设定得比所述特定深度深的条件，

将所述底面部深度Y设定为小于所述第一特性线的值且大于或等于所述第二特性线的值的大小。

3.一种半导体激光装置，其具有：

半导体基板；

第一导电型包层，其设置于所述半导体基板之上；

有源层，其设置于所述第一导电型包层之上的第一部分；

光波导层，其设置于所述第一导电型包层之上的与所述第一部分相邻的第二部分，与所述有源层的端部连接；以及

第二导电型包层，其设置于所述有源层以及所述光波导层之上，

该半导体激光装置具有彼此朝向相反方向的前端面以及后端面，

所述前端面包含所述半导体基板的端部、所述第一导电型包层的端部、所述有源层的端部以及所述第二导电型包层的端部，

所述后端面包含所述半导体基板的端部、所述第一导电型包层的端部、所述光波导层的端部以及所述第二导电型包层的端部，

所述后端面包含：

光波导端面部，其包含所述光波导层的端部；以及

凸出部，其是所述半导体基板与所述光波导端面部相比向谐振器长度方向凸出预先确定的规定凸出量，

所述凸出部的上表面形成台阶底面部，

所述光波导端面部与所述台阶底面部连接而形成角部，

将从表示所述光波导层的厚度中央位置的假想线即光波导层厚度中央轴至所述台阶底面部的最短距离作为底面部深度，

所述底面部深度与预先确定的特定深度相同或者比该特定深度深，

所述特定深度是从所述光波导层厚度中央轴至在所述光波导层导波的导波光所具有的垂直横模的光强度分布中成为峰值强度值的1/100的位置为止的最短距离，

在将所述规定凸出量设为X、将所述底面部深度设为Y、将从所述光波导端面部射出的激光的扩散角的半角设为β的情况下，以满足βarctan(Y/X)的方式确定所述规定凸出量以及所述底面部深度，

β的大小是0ββ1，

β1是在分别将β以及Y作为轴的曲线图中与第一特性线和第二特性线的交点对应的角度，

所述第一特性线在所述曲线图中确定了用于使从所述光波导端面部输出的激光器放射光不被所述凸出部遮挡的条件，

所述第二特性线在所述曲线图中确定了用于将所述底面部深度Y设定得比所述特定深度深的条件，

将所述底面部深度Y设定为大于或等于所述第二特性线的值的大小。