[发明专利]低电阻场效应晶体管及其制造方法

说明书

本文公开了低电阻场效应晶体管及其制造方法。本文公开的示例场效应晶体管包括衬底和衬底上方的堆叠体。该堆叠体包括绝缘体和栅电极。该示例场效应晶体管包括堆叠体的腔体中的半导体材料层。在示例场效应晶体管中，半导体材料层的邻近绝缘体的区域掺杂有绝缘体的材料。

技术领域

本公开总体上涉及半导体，更具体而言，涉及低电阻场效应晶体管及其制造方法。

背景技术

一些场效应晶体管(FET)包括基本垂直于衬底设置的栅极和绝缘体的交替层构成的堆叠体。电流在FET的源极和漏极之间沿设置于堆叠体的层限定的腔体中的半导体材料流动。

附图说明

图1A是已知垂直堆叠场效应晶体管(FET)的截面图。

图1B示出了向已知FET施加电压之后图1A的已知FET。

图2是根据本公开的教导构造的示例性FET的截面图。

图3A-3G示出了在制造的不同时间/阶段处图2的示例性FET。

图4是用于制造图2的FET的示例性方法的流程图。

图5是根据本文公开的任意示例，可以包括诸如图2的示例性FET的晶圆和管芯的顶视图。

图6是根据本文公开的任意示例，可以包括诸如FET的晶体管，例如图2的示例性FET 200的IC器件的截面侧视图。

图7是根据本文公开的任意示例，可以包括FET，例如图2的示例性FET的IC封装的截面侧视图。

图8是根据本文公开的任意示例，可以包括FET，例如图2的示例性FET的IC器件组件的截面侧视图。

图9是根据本文公开的任意示例，可以包括FET，例如图2的示例性FET的示例性电子装置的框图。

附图不成比例。相反，在附图中可以放大层或区域的厚度。通常，可以在所有附图和伴随的书面描述中使用相同的附图标记指示相同或相似部分。如本专利中所用，表述任何部分(例如，层、膜、区、区域或板)以任何方式在另一部分上方或上(例如，定位于、位于、设置于或形成于其上等)表示所述部分与另一部分接触，或者所述部分在另一部分上方，一个或多个中间部分位于其间。表述任何部分与另一部分接触表示两个部分之间没有中间部分。尽管附图示出了具有清晰线条和边界的层和区域，但这些线条和/或边界的一些或全部可以是理想化的。实际上，边界和/或线条可以是观察不到的、混合的和/或不规则的。

如本文所用，术语“在……上方”是参照其上形成集成电路部件的衬底(例如，半导体晶圆)使用的。具体而言，如本文所用，当集成电路的第一部件比第二部件更远离衬底时，第一部件在第二部件的“上方”。同样，如本文所用，当第一部件比第二部件更靠近衬底时，第一部件在第二部件的“下方”。如上所述，一个部件可以在另一部件上方或下方，其间具有其他部件，或者同时彼此直接接触。

“包括”和“包含”(以及其所有形式和时态)这里被用作开放式术语。因此，无论何时某权利要求采用任何形式的“包括”或“包含”(例如，包括、包含、具有等)作为前序或在任何种类的权利要求引述中，要理解的是，可以存在附加的元件、项等而不脱离对应权利要求或引述的范围。如本文所用，在使用短语“至少”作为，例如权利要求前序中的过渡术语时，它可以是与术语“包括”和“包含”为开放式的那样以相同方式为开放式的。在例如，以诸如A、B和/或C的形式使用时，术语“和/或”是指A、B、C的任意组合或子集，例如(1)单独A，(2)单独B，(3)单独C，(4)A和B，(5)A和C，(6)B和C以及(7)A和B和C。

具体实施方式