[发明专利]低电阻场效应晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种场效应晶体管，包括：

衬底；

所述衬底上方的堆叠体，所述堆叠体包括：

绝缘体；以及

栅电极；以及

所述堆叠体的腔体中的半导体材料层，所述半导体材料层的邻近所述绝缘体的区域掺杂有所述绝缘体的材料。

2.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其中，所述绝缘体是硼硅酸盐玻璃并且所述材料是硼。

3.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其中，所述绝缘体是磷硅酸盐玻璃并且所述材料是磷。

4.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其中，所述绝缘体是第一绝缘体，并且所述堆叠体还包括第二绝缘体以及与所述栅极相邻并在所述第一绝缘体和所述第二绝缘体之间限定的凹陷。

5.根据权利要求4所述的场效应晶体管，其中，所述区域是第一区域并且所述半导体材料层包括所述凹陷中的第二区域。

6.根据权利要求1所述的场效应晶体管，还包括在所述腔体中沉积的铁电材料。

7.根据权利要求6所述的场效应晶体管，其中，所述铁电材料不与所述腔体中的所述绝缘体相邻。

8.一种系统，包括：

处理电路，所述处理电路包括：

通信芯片；以及

场效应晶体管，所述场效应晶体管包括：

衬底；

所述衬底上方的堆叠体，所述堆叠体包括：

绝缘体；以及

栅电极；以及

所述堆叠体的沟道中的半导体材料层，所述半导体材料层的邻近所述绝缘体的区域掺杂有所述绝缘体的材料。

9.根据权利要求8所述的系统，其中，所述绝缘体是硼硅酸盐玻璃并且所述材料是硼。

10.根据权利要求8所述的系统，其中，所述绝缘体是磷硅酸盐玻璃并且所述材料是磷。

11.根据权利要求8所述的系统，其中，所述绝缘体是第一绝缘体，并且所述堆叠体还包括第二绝缘体以及与所述栅极相邻并在所述第一绝缘体和所述第二绝缘体之间限定的凹陷。

12.根据权利要求11所述的系统，其中，所述区域是第一区域并且所述半导体材料层包括所述凹陷中的第二区域。

13.根据权利要求8所述的系统，还包括在所述腔体中沉积的铁电材料。

14.根据权利要求13所述的系统，其中，所述铁电材料不与所述腔体中的所述绝缘体相邻。

15.一种场效应晶体管，包括：

衬底；

第一绝缘体；

设置于所述第一绝缘体上方的栅电极；

所述栅电极上方的第二绝缘体，所述第一绝缘体、所述第二绝缘体和所述栅电极限定堆叠体；

所述栅电极的侧表面中的凹陷；

所述凹陷中的铁电材料；以及

包括所述凹陷中的第一区域和邻近所述第一绝缘体的第二区域的半导体材料层，所述第二区域掺杂有所述第一绝缘体的材料。

16.根据权利要求15所述的场效应晶体管，其中，所述第一绝缘体是硼硅酸盐玻璃或磷硅酸盐玻璃之一。

17.根据权利要求15所述的场效应晶体管，其中，所述半导体材料层的所述第一区域与所述铁电材料接触。

18.根据权利要求15所述的场效应晶体管，其中，所述半导体材料层的所述第二区域在所述第一绝缘体的边缘上。