[发明专利]用于离子束靶衬底的表面修饰的方法和系统

权利要求书

1.一种用于制造中子发生靶的方法，所述方法包括：

对靶衬底的表面进行修饰以形成一个或多个表面特征；和

在所述靶衬底的表面上设置中子源层。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，对靶衬底的表面进行修饰包括：材料去除过程或材料添加过程。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述材料去除过程包括：喷砂、蚀刻或抛光。

4.根据权利要求2所述的方法，其中，所述材料添加过程包括：真空沉积、镀覆或印刷。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述靶衬底的表面上设置中子源层包括：将所述中子源层压制在所述靶衬底的表面上；或者通过蒸发将所述中子源层沉积在所述靶衬底的表面上。

6.根据权利要求1所述的方法，还包括将所述中子源层和所述靶衬底加热至一高温并保持一持续时间，以在所述中子源层和所述靶衬底之间形成结合。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述高温介于约100摄氏度与约500摄氏度之间。

8.根据权利要求6所述的方法，其中，所述持续时间介于约0.1小时与约10小时之间。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述靶衬底包括铜、铝、钛、钼或不锈钢中的至少一者。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述中子源层包括锂、铍或碳中的至少一者。

11.根据权利要求1所述的方法，还包括对所述中子源层的顶表面进行修饰以形成一个或多个表面特征。

12.一种中子发生靶，所述靶包括：

具有不平坦表面的靶衬底，其中，所述不平坦表面包括一个或多个表面特征；以及

中子源层，所述中子源层设置在所述靶衬底的表面上并且结合至所述靶衬底。

13.根据权利要求12所述的靶，其中，所述一个或多个表面特征凹入至所述靶衬底中。

14.根据权利要求13所述的靶，其中，所述一个或多个表面特征的深度介于约1微米与约50微米之间。

15.根据权利要求12所述的靶，其中，所述一个或多个表面特征从所述靶衬底突出。

16.根据权利要求15所述的靶，其中，所述一个或多个表面特征的高度介于约1微米与约50微米之间。

17.根据权利要求12所述的靶，其中，所述一个或多个表面特征包括平均间距介于约1微米与约50微米之间的多个表面特征。

18.根据权利要求12所述的靶，其中，所述靶衬底包括铜、铝、钛、钼或不锈钢中的至少一者。

19.根据权利要求12所述的靶，其中，所述中子源层包括锂、铍或碳中的至少一者。

20.根据权利要求12所述的靶，其中，所述中子源层的厚度介于约10微米与约500微米之间。