[发明专利]一种使用无掩模光刻曝光系统制造电子器件的方法和系统有效
| 申请号: | 201780086059.9 | 申请日: | 2017-12-22 |
| 公开(公告)号: | CN110268330B | 公开(公告)日: | 2022-01-28 |
| 发明(设计)人: | M·N·J·范科温克;V·S·凯珀;M·J-J·维兰德 | 申请(专利权)人: | ASML荷兰有限公司 |
| 主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20;H01L21/82 |
| 代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华;董典红 |
| 地址: | 荷兰维*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 使用 无掩模 光刻 曝光 系统 制造 电子器件 方法 | ||
1.一种使用无掩模光刻曝光系统制造电子器件的方法,所述无掩模光刻曝光系统利用无掩模图案写入器,所述无掩模图案写入器被布置成使用带电粒子小束将图案直接写入到晶片上,所述方法包括:
生成小束控制数据,用于控制所述无掩模图案写入器,以曝光所述晶片用于所述电子器件的创建,
其中,基于特征数据集生成所述小束控制数据,所述特征数据集定义能够被选择用于对所述电子器件进行个性化的特征,
其中,根据所述小束控制数据对所述晶片的曝光导致曝光图案,所述图案针对所述电子器件的不同子集具有对来自所述特征数据集的所述特征的不同选择,其中优选地,进一步基于设计布局数据生成所述小束控制数据,所述设计布局数据定义适用于要从所述晶片制造的所有所述电子器件的结构,以及
其中,所述特征数据集定义能够被选择用于补充在所述设计布局数据中定义的所述结构的多个所述特征。
2.根据权利要求1所述的方法,其中,所述特征数据集包括多个数据文件,其中,每个数据文件包括适用于所述电子器件的不同子集之一的所述特征的子集。
3.根据权利要求1或2所述的方法,其中,所述特征数据集包括数据文件,其中,所述数据文件包括所述特征的多个子集,其中,所述特征的每个子集适用于所述电子器件的不同子集之一。
4.根据权利要求1-2中任一项所述的方法,其中,生成所述小束控制数据的步骤另外基于:
选择数据,所述选择数据定义对用于对所述电子器件进行个性化的所述特征数据集的所述特征的选择,所述选择数据定义针对要从所述晶片制造的所述电子器件的不同子集的、对所述特征的不同选择,其中优选地,所述特征数据集的所述特征的至少一个选择包括多个至少一个特征,和/或优选地,所述特征数据集定义多个不同特征。
5.根据权利要求1-2中任一项所述的方法,其中,所述特征数据集包括以下中的至少一个:
圆形的特征;
形状为具有第一取向、并具有第一宽度的线的特征;
形状为具有垂直于所述第一取向的第二取向的线的特征;
形状为具有与所述第一宽度不同的第二宽度的线的特征;
形状为弯头结构的特征;
形状为矩形的特征,
形状为加号的特征。
6.根据权利要求4所述的方法,其中,生成所述小束控制数据的步骤另外基于特征元数据,其中,所述特征元数据指定为了对所述电子器件进行个性化将要创建使用所述选择数据选择的来自所述特征数据集的所述特征的位置,其中优选地,基于所述特征元数据和所述选择数据二者,选择在所述特征数据集中定义的所述特征,以包含在所述小束控制数据中,所述方法优选地还包括:
从所选择的特征生成一个或多个位图片段,其中,每个位图片段定义要在所述晶片上曝光的条带的一部分;
基于所述特征元数据,从所述一个或多个位图片段中选择位图片段,以包含在所述小束控制数据中。
7.根据权利要求1-2、6中任一项所述的方法,其中,所述电子器件是半导体芯片,并且其中,所述无掩模图案写入器是带电粒子多小束光刻机。
8.一种使用根据权利要求1-7中任一项所述的方法创建的电子器件。
9.一种无掩模光刻曝光系统,被配置为执行根据权利要求1-7中任一项所述的方法。
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