[发明专利]单晶提拉装置的清洁装置有效
| 申请号: | 201780085144.3 | 申请日: | 2017-02-02 |
| 公开(公告)号: | CN110382749B | 公开(公告)日: | 2021-10-01 |
| 发明(设计)人: | 冲田宪治 | 申请(专利权)人: | 胜高股份有限公司 |
| 主分类号: | C30B15/32 | 分类号: | C30B15/32;C30B29/06 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 张泽洲;谭祐祥 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 单晶提拉 装置 清洁 | ||
1.一种单晶提拉装置的清洁装置,其是对通过下垂至密闭容器的拉晶室内的线材,从设置于拉晶室下方的坩埚内的半导体熔液提拉半导体单晶的单晶提拉装置内进行清洁的装置,其特征在于,
所述单晶提拉装置的清洁装置具备能够插入至所述拉晶室内的主筒部和配置在该主筒部的上部且对插通至主筒部内的所述线材进行清洁的线材清洁机构,
所述主筒部具备沿轴向连接同径的筒状的多个接筒部并使得能够进行密闭连接的接续延伸机构,
所述线材清洁机构具备内侧空气吹出机构,所述内侧空气吹出机构能够从设置于所述主筒部的内侧的内侧吹出口朝半径方向内侧吹出空气,
在所述主筒部中的比所述内侧空气吹出机构更靠上侧的位置设置从所述主筒部的外侧连通的外部连通吸气部,阻断空气从比所述外部连通吸气部更靠下侧的位置朝上方流入。
2.根据权利要求1所述的单晶提拉装置的清洁装置,其特征在于,
所述内侧空气吹出机构以与所述主筒部的内表面成为同一平面的方式设置。
3.根据权利要求1所述的单晶提拉装置的清洁装置,其特征在于,
在所述主筒部的下端位置设置抽吸所述主筒部内侧并进行排出的气体抽吸管。
4.根据权利要求1所述的单晶提拉装置的清洁装置,其特征在于,
在所述主筒部的上端位置外周面上具备密闭部件,所述密闭部件在从所述内侧吹出口吹出空气时,在所述主筒部被插入至所述拉晶室内的状态下抵接于所述拉晶室的内表面而能够密闭拉晶室上端侧。
5.根据权利要求4所述的单晶提拉装置的清洁装置,其特征在于,
第1接筒部具备使所述密闭部件在所述主筒部的半径方向移动时缩径而在将拉晶室上端侧密闭时扩径的直径尺寸可变机构。
6.根据权利要求5所述的单晶提拉装置的清洁装置,其特征在于,
所述直径尺寸可变机构具备设置于所述密闭部件与所述主筒部的外周面之间的可挠性袋体,该可挠性袋体能够通过注入空气来使其膨胀。
7.根据权利要求6所述的单晶提拉装置的清洁装置,其特征在于,
所述可挠性袋体是沿着所述主筒部的外周面而设置成环状的橡胶管。
8.根据权利要求4所述的单晶提拉装置的清洁装置,其特征在于,
所述密闭部件是内表面清洁机构,所述内表面清洁机构以其外周位置在所述拉晶室的内表面上滑动来进行清洁。
9.根据权利要求1所述的单晶提拉装置的清洁装置,其特征在于,
所述接续延伸机构具备:
筒支承部,在所述主筒部中的各接筒部的下端位置的径向上突出;以及
支承台,在连接所述接筒部时支承所述筒支承部。
10.一种单晶提拉装置的清洁方法,其是进行通过下垂至密闭容器的拉晶室内的线材,从设置于拉晶室下方的坩埚内的半导体熔液提拉半导体单晶的单晶提拉装置的线材清洁的单晶提拉装置的清洁方法,其特征在于,
在将清洁装置的具备沿轴向连接同径的筒状的多个接筒部并使得能够进行密闭连接的接续延伸机构的主筒部插入至所述拉晶室内,且在将所述线材插通至所述主筒部的上部的状态下,从设置于所述主筒部的内侧的内侧空气吹出机构的内侧吹出口朝半径方向内侧吹出空气来进行清洁,且从所述主筒部中的比所述内侧空气吹出机构更靠上侧的位置设置的从所述主筒部的外侧连通的外部连通吸气部吹出空气,由此阻断空气从比所述外部连通吸气部更靠下侧的位置朝上方流入。
11.根据权利要求10所述的单晶提拉装置的清洁方法,其特征在于,
所述接续延伸机构具备在所述主筒部中的各接筒部的下端位置的径向上突出的筒支承部及在连接所述接筒部时支承所述筒支承部的支承台,
利用所述支承台支承所述筒支承部来对拉晶室连接、拆卸所述主筒部。
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