[发明专利]可被氢化硅烷化的受抑制的不含贵金属的混合物在审
| 申请号: | 201780083596.8 | 申请日: | 2017-10-10 |
| 公开(公告)号: | CN111164089A | 公开(公告)日: | 2020-05-15 |
| 发明(设计)人: | E·弗里茨-朗哈尔斯 | 申请(专利权)人: | 瓦克化学股份公司 |
| 主分类号: | C07F17/00 | 分类号: | C07F17/00;C07F7/08;C07C15/46;C07F7/18 |
| 代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 过晓东 |
| 地址: | 德国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 氢化 硅烷 抑制 贵金属 混合物 | ||
1.一种混合物M,其含有:
含有至少一个直接结合至Si的氢原子的化合物A,
含有至少一个碳-碳多重键的化合物B,
含有至少一个阳离子Si(II)基团的化合物C,和
含有至少一个直接结合至硅的烷氧基的化合物D。
2.一种用于氢化硅烷化混合物M的方法,所述混合物M含有:
含有至少一个直接结合至Si的氢原子的化合物A,
含有至少一个碳-碳多重键的化合物B,
含有至少一个阳离子Si(II)基团的化合物C,和
含有至少一个直接结合至硅的烷氧基的化合物D,
其中加热所述混合物M。
3.根据权利要求1所述的混合物M或根据权利要求2所述的方法,其中所述化合物A具有通式I
R1R2R3Si-H (I),
其中所述基团R1、R2和R3各自彼此独立地为氢、卤素、甲硅氧基或烃基,其中单个碳原子在每种情况下可被氧原子、硅原子、氮原子、卤素、硫或磷原子替代。
4.根据权利要求1或3所述的混合物M或根据权利要求2或3所述的方法,其中所述化合物B选自通式IIIa的化合物和通式IIIb的化合物:
R4R5C=CR6R7 (IIIa),
R8CCR9 (IIIb),
其中
R4、R5、R6、R7、R8和R9各自彼此独立地为直链、支链、无环或环状、饱和或单不饱和或多不饱和的C1-C20-烃基,其中单个碳原子可被硅、氧、卤素、氮、硫或磷替代。
5.根据权利要求1、3或4所述的混合物M或根据权利要求2、3或4所述的方法,其中所述化合物C是通式IV的阳离子Si(II)化合物:
([Si(II)Cp]+)aXa- (IV)
其中
Cp是通式V的π键合的环戊二烯基,其被基团Ry取代,
所述基团
Ry是单价基团或多价基团,其还能彼此接合以形成稠环,并且
X-是在氢化硅烷化的反应条件下不与阳离子硅(II)中心反应的a价阴离子。
6.根据权利要求1、3或4所述的可氢化硅烷化混合物M或根据权利要求2、3或4所述的方法,其中所述化合物C选自所述阳离子Si(II)化合物:
其中所述基团Ra彼此独立地为烃基,Hal为卤素。
7.根据权利要求1、3、4、5或6所述的可氢化硅烷化混合物M或根据权利要求2、3、4、5或6所述的方法,其中化合物D具有通式VI:
R13R14R15Si-O-CH2-R16 (VI)
其中所述基团R13、R14和R15各自彼此独立地为氢、卤素、甲硅氧基或烃基,其中单个碳原子在每种情况下可被氧原子、卤素、硫或磷原子替代,并且
R16是氢或烃基,其中单个不相邻碳原子可被氧原子、硅、卤素、硫或磷原子替代。
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