[发明专利]用于清洁基材局部区域的装置和方法

说明书

一种用于清洁基材(尤其是光掩模)的局部区域的装置及方法。装置具有：清洁头，具有在待清洁的基材区域上方且紧密接近于其而配置的下部表面，下部表面具有在其中形成的中心开口、包围中心开口的第一环形凹槽及配置于第一环形凹槽与中心开口之间的至少一第二凹槽，第一环形凹槽以流体方式连接至允许连接至外部供应源的第一端口，第二环形凹槽以流体方式连接至允许连接至外部供应源的第二端口；供带机构，向清洁头的下部表面中的中心开口供应研磨带，使得研磨带的一部分自中心开口突出；液体介质管道，具有在中心开口处或附近处向研磨带的背侧供应液体的出口。

技术领域

本发明涉及一种用于清洁基材(尤其是光掩模)的局部区域的装置和方法。

背景技术

在许多技术领域中，且尤其在半导体生产领域中，由于所清洁基材的所需清洁度，基材的清洁会具有挑战性。需要高清洁度的此基材的一个实例是光掩模，光掩模例如用于集成电路器件的大批量生产的光刻中。

此类光掩模的表面(尤其是其图案化表面)上的任何颗粒会在使用光掩模成像的基材中引起误差。因此，需要有规律地清洁光掩模，然而，有规律清洁可能降低光掩模的使用寿命。为了保护光掩模的某些表面免于颗粒污染，已引入表膜(pellicle)。表膜是薄膜或隔膜，其例如附接至胶合至光掩模的一侧的框架，使得隔膜充当防止颗粒到达所覆盖表面的盖层。表膜与光掩模间隔开得足够远，以使得可在表膜上存在的中型颗粒至小型颗粒将相当远离焦点而不会影响光掩模的成像。通过使用此类表膜，可减少光掩模的清洁周期，藉此增加光掩模的使用寿命且同时改良成像结果。

然而，此类表膜隔膜必须在某一数目个成像周期之后通过移除胶合至光掩模表面的表膜框架来更换。在移除表膜框架之后，一些胶保持在光掩模上，在具有框架的另一表膜隔膜可附接至光掩模之前必须完全移除所述胶。

在过去，必须使用侵蚀性的化学清洁液以自光掩模的表面移除胶残余物。举例而言，已在过去数年内使用SPM以移除一般的高分子的胶残余物。尽管其清洁效能良好，但SPM已产生其他问题，诸如产生雾度(haze)。已提议通过例如使用避免雾度产生的不同化学物质来克服雾度问题的其他方法。然而，这些化学物质常常仅允许在可接受时间限度中局部地移除胶，且完全移除即使有的话也以难以达成。对于SPM及其他化学物质两者，也不可能在不含有化学物质时仅清洁光掩模的局部区域。因此，化学物质也施加至不需要清洁的区域，由此增加了所需化学物质的量且产生破坏这些区域的危险。而且，已建议诸如激光剥蚀的干式移除方法来移除表膜胶残余物，但这些方法极特定针对于单次使用，且难以控制。

发明内容

本发明的目标是提供一种用于清洁基材(尤其是光掩模)的局部区域的装置及方法，所述装置及方法可克服上文所阐述的问题中的一或多者。

根据本发明，提供一种根据权利要求1所阐述的装置及一种根据权利要求17所阐述的方法。尤其在各别从属权利要求及说明书中公开其他实施例。