[发明专利]用于使线圈通电和放电的电路装置和方法有效
| 申请号: | 201780076425.2 | 申请日: | 2017-12-08 |
| 公开(公告)号: | CN110024060B | 公开(公告)日: | 2021-07-09 |
| 发明(设计)人: | K.施特劳斯;T.基尔希纳 | 申请(专利权)人: | 罗伯特·博世有限公司 |
| 主分类号: | H01F7/18 | 分类号: | H01F7/18;G05F7/00;H01H47/00;H02H9/00 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 臧永杰;刘春元 |
| 地址: | 德国斯*** | 国省代码: | 暂无信息 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 用于 线圈 通电 放电 电路 装置 方法 | ||
1.一种用于使线圈(140)通电和放电的电路装置(100,200,300),所述电路装置具有整流器(110)、第一电阻(R1)、半导体开关(150)和所述线圈(140),
其中,所述整流器(110)通过第一输入连接端(111)和第二输入连接端(112)与交变电压源(120)能够连接,
其中,所述线圈(140)的第一连接端(141)与所述整流器(110)的第一输出连接端(115)连接并且所述线圈(140)的第二连接端(142)通过所述半导体开关(150)与所述整流器(110)的第二输出连接端(116)连接,
其中,所述半导体开关(150)的控制连接端(153)通过所述第一电阻(R1)与所述整流器(110)的所述第一输出连接端(116)连接,
其特征在于放电单元(130,230,330)以及第二电阻(R2),所述放电单元在所述线圈(140)的所述第二连接端(142)和所述半导体开关(150)的所述控制连接端(153)之间接通,并且所述第二电阻在所述整流器(110)的所述第二输出连接端(116)和所述半导体开关(150)的所述控制连接端(153)之间接通。
2.根据权利要求1所述的电路装置(100),其中,所述放电单元(130)具有至少一个第一齐纳二极管(Z11,Z12,Z13,Z14),所述第一齐纳二极管具有从所述线圈(140)的所述第二连接端(142)朝所述半导体开关(150)的所述控制连接端(153)方向的截止方向。
3.根据权利要求2所述的电路装置(100),其中,所述至少一个第一齐纳二极管(Z11,Z12,Z13,Z14)的击穿电压低于降落到所述半导体开关(150)上的预给定的电压。
4.根据权利要求1所述的电路装置(200),其中,所述放电单元(230)具有至少一个第三电阻(R3)。
5.根据权利要求1所述的电路装置(300),其中,所述放电单元(330)具有串联电路,所述串联电路具有第四电阻(R4)和二极管(D5)和此外具有第五电阻(R5),所述二极管具有从所述线圈(140)的所述第二连接端(142)朝所述半导体开关(150)的所述控制连接端(153)方向的流通方向,所述第五电阻在连接端(331)与所述整流器(110)的所述第二输出连接端(116)之间接通,其中所述连接端(331)位于所述第四电阻(R4)和所述二极管(D5)之间。
6.根据以上权利要求中任一项所述的电路装置(100,200,300),所述电路装置此外具有电容器(C),所述电容器在所述整流器(110)的所述第二输出连接端(116)和所述半导体开关(150)的所述控制连接端(153)之间接通。
7.根据权利要求1所述的电路装置(100,200,300),所述电路装置此外具有第二齐纳二极管(Z2),所述第二齐纳二极管在流通方向上在所述整流器(110)的所述第二输出连接端(116)和所述半导体开关(150)的所述控制连接端(153)之间接通。
8.根据权利要求1所述的电路装置(100,200,300),其中,所述半导体开关(150)构造为MOSFET。
9.根据权利要求1所述的电路装置(100,200,300),其中,所述整流器(110)的所述第一输出连接端(115)构造为正的连接端并且所述整流器(110)的所述第二输出连接端(116)构造为负的连接端,或者,其中,所述整流器的所述第一输出连接端构造为负的连接端并且所述整流器的所述第二输出连接端构造为正的连接端。
10.根据权利要求1所述的电路装置(100,200,300),其中,所述线圈(140)构造为磁阀的部分。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于罗伯特·博世有限公司,未经罗伯特·博世有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201780076425.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。





