[发明专利]绝缘栅双极型晶体管器件、半导体器件的生产方法以及绝缘栅双极型晶体管器件的生产方法

权利要求书

1.一种绝缘栅双极型晶体管器件，具备第一主电极层、第二主电极以及控制电极，该器件还具备：

第一导电型第一半导体层；

第一导电型第二半导体层，其形成于所述第一导电型第一半导体层的所述第一主电极层侧；

第二导电型第一半导体层，其形成于所述第一导电型第二半导体层与所述第一主电极层之间；

第二导电型第二半导体层，其形成于所述第一导电型第一半导体层的所述第二主电极侧；

第一导电型第三半导体层，其选择性地形成于所述第二导电型第二半导体层的所述第二主电极侧；以及

多个槽构造，其从所述第二导电型第二半导体层或者所述第一导电型第三半导体层的所述第二主电极侧的表面突出到所述第一导电型第一半导体层，

所述槽构造具有：

由半导体物质形成的导电物质区域；和

绝缘膜，其形成于所述导电物质区域的所述第二主电极侧的表面以外的表面，

作为多个所述槽构造，至少具有主控制槽构造、第一伪槽构造以及第二伪槽构造，

在所述第一伪槽构造和所述第二伪槽构造之间没有其它所述槽构造，

作为所述主控制槽构造所具有的所述导电物质区域的主控制导电物质区域连接于所述控制电极，

在与所述主控制槽构造相邻的第一导电型第三半导体层的表面形成的第一电极和在与所述主控制槽构造相邻的第二导电型第二半导体层的表面形成的第二电极连接于所述第二主电极，

作为所述第一伪槽构造所具有的所述导电物质区域的第一伪导电物质区域连接于所述第二主电极，而没有连接于所述控制电极，

作为所述第二伪槽构造所具有的所述导电物质区域的第二伪导电物质区域连接于所述第二主电极，而没有连接于所述控制电极，

所述第一导电型第三半导体层还形成于所述第一伪槽构造与所述第二伪槽构造之间。

2.一种绝缘栅双极型晶体管器件，具备集电极层、发射极以及栅极，该器件还具备：

第一导电型高电阻层；

第一导电型缓冲层，其形成于所述第一导电型高电阻层的所述集电极层侧；

第二导电型发射极层，其形成于所述第一导电型缓冲层与所述集电极层之间；

第二导电型基极层，其形成于所述第一导电型高电阻层的所述发射极侧；

第一导电型源极层，其选择性地形成于所述第二导电型基极层的所述发射极侧；以及

多个沟槽构造，其从所述第二导电型基极层或者所述第一导电型源极层的所述发射极侧的表面突出到所述第一导电型高电阻层，

所述沟槽构造具有：

由半导体物质形成的沟槽部；和

绝缘膜，其形成于所述沟槽部的所述发射极侧的表面以外的表面，

作为多个所述沟槽构造，至少具有沟槽栅极、第一虚设沟槽以及第二虚设沟槽，

在所述第一虚设沟槽与所述第二虚设沟槽之间没有其它所述沟槽构造，

作为所述沟槽栅极所具有的所述沟槽部的栅沟槽部连接于所述栅极，

在与所述沟槽栅极相邻的第一导电型源极层的表面形成的第一插塞电极和在与所述沟槽栅极相邻的第二导电型基极层的表面形成的第二插塞电极连接于所述发射极，

作为所述第一虚设沟槽所具有的所述沟槽部的第一虚设沟槽部连接于所述发射极，而没有连接于所述栅极，

作为所述第二虚设沟槽所具有的所述沟槽部的第二虚设沟槽部连接于所述发射极，而没有连接于所述栅极，

所述第一导电型源极层还形成于所述第一虚设沟槽与所述第二虚设沟槽之间。

3.根据权利要求2所述的绝缘栅双极型晶体管器件，

所述第一导电型源极层以及所述第二导电型基极层，

在所述发射极侧的表面，在所述沟槽栅极的长度方向上交替地露出，并且

也在由所述第一虚设沟槽与所述第二虚设沟槽夹着的所述发射极侧的表面，在所述第一虚设沟槽以及所述第二虚设沟槽的长度方向上交替地露出。

4.根据权利要求2或3所述的绝缘栅双极型晶体管器件，

与所述第一插塞电极和所述第二插塞电极都不同的第三插塞电极与在所述第一虚设沟槽和所述第二虚设沟槽之间形成的、所述第一导电型源极层和所述第二导电型基极层中的至少一个接触。